无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)

<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1

无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展

迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。

半导体集成电路可靠性测试和数据处理探析

现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可靠性是非常重要的。一旦半导体集成电路出现故障,将会对整个电子元器件造成影响。本篇文章也是以此为切入点,以半导体集成电路为研究对象,详细研究一下半导体集成电路可靠性的测试和具体的数据处理分析,为后续进一步提升半导体集成电路可靠性水平提供一定的借鉴。

300 mm硅片技术发展趋势探讨

单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。

直拉单晶硅晶体缺陷研究进展

直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。

共享式CIDM模式,进可攻、退可守

大约30多年前，一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能分出来做代工服务，因为代工的公司不会与客户竞争，所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。那么，究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢。