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无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
1
作者
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期171-182,共12页
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属...
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1
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关键词
石墨烯
场效应晶体管
晶体表面
场效应管
CMOS器件
化学气相沉积
器件研究
分解方法
栅介质
黑磷
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职称材料
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
2
作者
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期87-98,共12页
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所...
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。
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关键词
摩尔定律
CMOS器件
无结场效应管
量子阱场效应晶体管
碳纳米管场效应晶体管
石墨烯场效应晶体管
二维半导体场效应晶体管
真空沟道场效应管
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职称材料
半导体集成电路可靠性测试和数据处理探析
3
作者
季文明
《电子乐园》
2022年第6期181-183,共3页
现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可...
现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可靠性是非常重要的。一旦半导体集成电路出现故障,将会对整个电子元器件造成影响。本篇文章也是以此为切入点,以半导体集成电路为研究对象,详细研究一下半导体集成电路可靠性的测试和具体的数据处理分析,为后续进一步提升半导体集成电路可靠性水平提供一定的借鉴。
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关键词
半导体集成电路
可靠性测试
数据处理
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职称材料
300 mm硅片技术发展趋势探讨
4
作者
刘赟
薛忠营
+1 位作者
魏星
李炜
《微纳电子与智能制造》
2022年第1期14-29,共16页
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一...
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。
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关键词
单晶硅
450
mm
300
mm
器件应用
硅片性能
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职称材料
直拉单晶硅晶体缺陷研究进展
5
作者
刘赟
薛忠营
+1 位作者
魏星
李炜
《微纳电子与智能制造》
2022年第1期64-74,共11页
直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,...
直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。
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关键词
直拉单晶硅
v/G理论
表征方法
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职称材料
共享式CIDM模式,进可攻、退可守
被引量:
1
6
作者
张汝京
《集成电路应用》
2017年第10期1-1,共1页
大约30多年前,一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能分出来做代工服务,因为代工的公司不会与客户竞争,所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。那么,究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢。
关键词
共享式
半导体工厂
半导体市场
半导体行业
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职称材料
题名
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
1
作者
肖德元
张汝京
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期171-182,共12页
基金
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401)
文摘
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1
关键词
石墨烯
场效应晶体管
晶体表面
场效应管
CMOS器件
化学气相沉积
器件研究
分解方法
栅介质
黑磷
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
2
作者
肖德元
张汝京
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期87-98,共12页
基金
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401)
文摘
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。
关键词
摩尔定律
CMOS器件
无结场效应管
量子阱场效应晶体管
碳纳米管场效应晶体管
石墨烯场效应晶体管
二维半导体场效应晶体管
真空沟道场效应管
Keywords
Moore′s law
CMOS
junctionless field effect transistor
quantum well field effect transistor
carbon nano-tube field effect transistor
graphene field effect transistor
2D semiconductor material channel field effect transistor
vacuum channel field effect transistor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体集成电路可靠性测试和数据处理探析
3
作者
季文明
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《电子乐园》
2022年第6期181-183,共3页
文摘
现如今,我国科技技术快速发展,尤其是电子元器件的发展更是日新月异。众所周知,电子元器件是组成电子设备的基本组成单位,如果电子元器件的功能存在缺失,那么将会对整个电子设备造成重大影响。半导体集成电路是电子元器件的一种,它的可靠性是非常重要的。一旦半导体集成电路出现故障,将会对整个电子元器件造成影响。本篇文章也是以此为切入点,以半导体集成电路为研究对象,详细研究一下半导体集成电路可靠性的测试和具体的数据处理分析,为后续进一步提升半导体集成电路可靠性水平提供一定的借鉴。
关键词
半导体集成电路
可靠性测试
数据处理
分类号
TP [自动化与计算机技术]
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职称材料
题名
300 mm硅片技术发展趋势探讨
4
作者
刘赟
薛忠营
魏星
李炜
机构
中国科学院
上海
微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
上海新昇半导体科技有限公司
上海
硅产业集团股份
有限公司
出处
《微纳电子与智能制造》
2022年第1期14-29,共16页
文摘
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及困难进行分析。针对每种器件应用场景,本文从晶体生长、掺杂、热处理等方面对提高硅片性能要求的技术发展进行了简要阐述与分析。最后,简单介绍了上海硅产业集团在300 mm硅片制造技术方面的研发进展。
关键词
单晶硅
450
mm
300
mm
器件应用
硅片性能
Keywords
monocrystalline silicon
450 mm
300 mm
device application
silicon wafer performance
分类号
TM712 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
直拉单晶硅晶体缺陷研究进展
5
作者
刘赟
薛忠营
魏星
李炜
机构
信息功能材料国家重点实验室
中国科学院大学
上海新昇半导体科技有限公司
上海
硅产业集团股份
有限公司
出处
《微纳电子与智能制造》
2022年第1期64-74,共11页
文摘
直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生长工艺改进、实现晶体缺陷有效调控的重要技术手段。本文首先综述了晶体生长过程中控制缺陷形成的v/G理论的发展,并介绍了探测不同原生缺陷的表征方法。最后,简述了本文在缺陷表征方法的最新研究进展情况。
关键词
直拉单晶硅
v/G理论
表征方法
Keywords
Czochralski monocrystalline silicon
v/G theory
characterization methods
分类号
TM712 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
共享式CIDM模式,进可攻、退可守
被引量:
1
6
作者
张汝京
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《集成电路应用》
2017年第10期1-1,共1页
文摘
大约30多年前,一些美国、日本和欧洲的IDM半导体工厂把多余的产能分出来做代工服务,因为代工的公司不会与客户竞争,所以专业代工的模式成为半导体市场的新宠。那么,究竟国内半导体行业更加适用怎样的模式呢。
关键词
共享式
半导体工厂
半导体市场
半导体行业
分类号
F407.635 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
2
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
半导体集成电路可靠性测试和数据处理探析
季文明
《电子乐园》
2022
0
下载PDF
职称材料
4
300 mm硅片技术发展趋势探讨
刘赟
薛忠营
魏星
李炜
《微纳电子与智能制造》
2022
0
下载PDF
职称材料
5
直拉单晶硅晶体缺陷研究进展
刘赟
薛忠营
魏星
李炜
《微纳电子与智能制造》
2022
0
下载PDF
职称材料
6
共享式CIDM模式,进可攻、退可守
张汝京
《集成电路应用》
2017
1
下载PDF
职称材料
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