芯片铜互联高纯硫酸铜中痕量杂质元素的测定

利用电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)同时测定了芯片铜互联高纯硫酸铜溶液中的19种杂质元素。考察了射频发生器功率、雾化器压力、雾化气流量和积分时间对分析元素信背比的影响,确定仪器最佳的条件为:射频发生器(RF)功率为1150W,雾化器压力为0.2MPa,雾化气的流量为0.5L/min,水平积分时间为:短波15s,长波5s。实验采用标准加入法和内标法降低或消除基体干扰,并选择合适的分析谱线,同时测定了高纯硫酸铜中19种杂质元素的含量。分析方法准确,简单,快速,方法检出限为0.0001-0.024mg/L,加标回收率为86.1%-119.3%,相对标准偏差(RSD)小于5%,能满足实际需求。