离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.

部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋Ｎ结二极管的反向电流。

快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.

等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

硅中氧的FTIR研究

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.

玻璃钝化功率整流二极管芯片国产化设计

从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管整机批量使用,取得了满意的结果。

用双面研磨机代替平面磨床的减薄工艺

单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在器件生产工艺中往往会引进二次缺陷(如氧化层错、外延层错及位错等),直接影响半导体器件的质量和电性能.

把奖励和经济责任制结合起来

1981年同1976年相比,我们厂的工业总产值增长61.5％,产量增长56.2％,产品质量明显提高,其中2CN4产品获部、市颁发的优质产品奖,同期可比产品成本平均下降6.5％。在1981年利润比上一年增长27％的基础上,今年至8月份,上缴利润又比去年同期增长20.2％(加上降价因素为增长71％)。我们所以会取得如此明显的经济效果,原因是多方面的,而其中一个重要原因,是我们在改善企业管理、建立健全经济责任制的过程中,注意结合工厂生产、工作的特点,不断改进奖励办法,在主管局的核定范围之内,把奖金用活,促进了职工生产积极性的提高。保证生产重点,讲究经济效益我们厂里实行的是把全厂各项经济指标分解落实到各车间和科室,然后根据完成情况记分计奖的办法。在执行中,我们尽量做到灵活机动、保障重点。如三车间生产的玻璃封装二极管,是获得优质产品称号的短线产品,1981年计划产量要求比1980年增加1.5倍,达到250万只。

拓展企业宣传工作的内容

过去我厂宣传工作比较偏重于宏观政治方面的宣传。随着企业深化改革,转换机制,走向市场,企业宣传工作任务更重了,不仅要承担宏观政治的宣传,还要搞好企业经济工作的宣传。我们党政工一班人在指导思想上达成共识后,决定对企业宣传工作的工作内容、组织机构进行适当调整,探索与实践集党、政、工宣传优势为一体,由宣传科一个口子统一协调指挥的企业宣传工作的机制。我给宣传科一项特权:可以根据需要参加厂里的各种经济工作会议。