氧化石墨/碳纳米管杂化材料的合成及导电性能研究

合成了具备优异导电性能的氧化石墨/碳纳米管层状杂化材料。通过红外、拉曼光谱和X射线衍射,证明了氧化石墨片层间的氢键作用随着碳管在杂化产物中的增加而减弱,同时氧化石墨的层间距变大;采用扫描电镜观察了杂化材料的横截面和表面形貌,氧化石墨原先堆积状的片层结构由于碳纳米管的插入产生了剥离,碳纳米管也得到良好的分散;当氧化石墨与碳纳米管的质量比由1∶1变为1∶4时,电导率提高了5个数量级。

银基填充复合材料电磁屏蔽效能研究

银基填充复合材料作为电磁屏蔽材料是电磁屏蔽领域研究热点之一。选用片状银粉、环氧树脂及固化剂制备导电银胶,使用涂抹棒将导电银胶均匀涂覆于聚酯基板上,固化后测试其各频率波段电磁屏蔽性能。研究了银基填充复合材料膜厚在不同波段电磁屏蔽性能的差别,测试其体积电阻率,通过扫描电镜观察横截面中片状银粉分散的均匀性,推导其电磁屏蔽机理。

单组份环氧树脂-银导电胶的制备研究

选用微米级片状银粉作为导电填料,环氧树脂和咪唑类潜伏型固化剂作为基体树脂制备导电胶。通过扫描电镜研究了银粉含量对导电胶固化后的形貌,测试体积电阻率和拉伸性能与银粉填充量变化的关系。依照以上结论,探讨了导电胶的导电机理,并提出导电模型。

导电银胶在电磁屏蔽材料上的研究与应用

以片状银粉作为导电介质,以环氧树脂、固化剂、促进剂混合为成膜剂制备出可用于电磁屏蔽,具有良好力学性能的导电银胶。讨论了银粉在银胶中质量分数为75%、81%时,固化后银胶在100kHz^18GHz波段的电磁屏蔽性能,银含量越高对15M^18GHz高频率波段电磁屏蔽效能越好,可达到17~51dB。分析了银胶导电性与电磁屏蔽功效之间的关系;通过扫描电镜的观察,从微观上进一步验证其电磁屏蔽作用;当银含量为81%时其拉伸强度为1.20MPa。

乳液聚合法制备纳米棒状聚苯胺

首次采用阳离子表面活性剂(十二烷基三甲基溴化铵)为乳化剂,通过乳液聚合法合成了聚苯胺(1),其结构,形貌和热性能经IR,XRD,SEM和TG表征。于室温聚合反应2 h合成的12为棒状结构,直径在80nm^200 nm,导电率2.15 S·cm-1,热失重49%的温度在700℃。

铝粉及玻璃粉对PTC欧姆铝电极性能的影响

选用不同球径的铝粉,不同元素组份的无铅玻璃粉,采用三辊轧机机械混合的方法制备了用于PTC电极的无铅环保型铝浆。通过SEM观察不同球径铝粉所制备铝浆烧结后的形貌,测定铝浆的欧姆接触及通电老化性能,讨论不同组份无铅玻璃粉对铝电极浆料性能的影响。不同球径铝粉混合制备铝浆的电性能及耐老化性能比单一粒径的优良。

氧化铟锡透明导电电极的刻蚀研究

研制了一种可用于氧化铟锡(ITO)透明电极的刻蚀液,研究了其刻蚀效果,并推断刻蚀机理。选用不同pH值的FeCl3水溶液作为刻蚀功能成分,将PEG10000作为介质,以气相SiO2为触变剂制备刻蚀液,用丝网印刷法对ITO电极进行刻蚀实验,研究了不同刻蚀条件对刻蚀效果及ITO电极体积电阻率的影响。结果表明,pH值为1.67时,于80℃,90 min后ITO薄膜的刻蚀效果最优。通过EDS表征ITO电极元素的变化,用原子力显微镜(AFM)观察电极微观形貌的变化。

二丁基二月桂酸锡固化聚甲基苯基硅氧烷研究

以二丁基二月桂酸锡(DBTDL)为固化剂固化聚甲基苯基硅氧烷(GZ-1),通过凝胶化时间和拉伸强度测试,红外光谱和热重分析研究其固化机理及相关性能。结果表明,随DBTDL用量增加或温度升高,凝胶时间缩短。DBTDL中易水解的酯键与空气中的水进行水解,反应生成的—OH与聚硅氧烷中的—OCH3发生脱醇反应,生成Sn—O—Si键,最后交联固化。体系拉伸强度随DBTDL用量增加而降低。固化物具有良好的耐高温性能。

二丁基二月桂酸锡催化有机硅体系导电银胶的失效分析研究

以有机锡催化缩合型有机硅树脂为基体树脂的导电银胶为研究对象,通过扫描电镜(SEM)与能谱分析(EDS)分别对失效前后样品的银粉形貌及元素组成进行分析,并推断其失效机理为:银粉与空气中的H2S,SO2和H2O逐渐发生反应,最终可能生成Ag2S,Ag2SO3和Ag2O的混合物。对银胶固化物的体积电阻率进行了研究,表征了失效时间、银粉含量对银胶导电性能的影响,结果表明,银胶的体积电阻率随着失效时间的增加而变大,并随着银粉含量的增加而减小。