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低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计
被引量:
1
1
作者
丁恒
卢启堂
王家礼
《现代电子技术》
2006年第8期4-5,9,共3页
与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压...
与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5GHz;输出功率Pout=7~9.5dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100kHz时相位噪声Pn=-106dBc/Hz。
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关键词
HBT
压控振荡器
微波单片集成电路
相位噪声
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职称材料
题名
低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计
被引量:
1
1
作者
丁恒
卢启堂
王家礼
机构
西安电子科技大学机电工程学院
上海泰立特通信技术有限公司
出处
《现代电子技术》
2006年第8期4-5,9,共3页
文摘
与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5GHz;输出功率Pout=7~9.5dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100kHz时相位噪声Pn=-106dBc/Hz。
关键词
HBT
压控振荡器
微波单片集成电路
相位噪声
Keywords
HBT
voltage controlled oscillator
MMIC
phase noise
分类号
TN753.9 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计
丁恒
卢启堂
王家礼
《现代电子技术》
2006
1
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