低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管（Si BJT）相比，异质结双极晶体管（HBT）具有特征频率高、1／f噪声小的优点，可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管（HBT）设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路，芯片电路测试结果：电压控制频率范围fo=8．0～9．5GHz；输出功率Pout=7～9．5dBm；在偏离振荡中心频率foffset为100kHz时相位噪声Pn=-106dBc／Hz。