缓蚀剂对铜作用的激光扫描微区光电化学研究

采用激光扫描微区光电化学显微技术(PEM)对不同浓度下的苯并三氮唑(BTA)及其衍生物4-羧基苯并三唑甲酯与5-羧基苯并三唑甲酯的混合物(CBTME)在硼砂缓冲溶液(pH9.2)中对铜电极的缓蚀作用作了比较研究.研究发现当电位正向扫描至某一电位时,一定浓度的BTA或CBTME作用下,铜电极光响应由P-型转化为n-型,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能,n-型光响应越大,缓蚀剂的缓蚀性能越好,与循环伏安光电流及交流阻抗测试的结果相一致;实验还发现,影响缓蚀剂对铜作用的过程不仅与缓蚀剂本身有关,还与电极电位有关.在一定的电位与一定的缓蚀剂浓度下可观察到铜电极表面共存着p-型和n-型区域及p转n的过程,因此可从微观上观察到缓蚀剂与铜表面作用的过程,为缓蚀剂的应用建立了良好的理论基础.

电化学修复技术在钢筋混凝土结构中的研究及应用

钢筋混凝土中的钢筋受多种因素影响,所处的稳定环境被破坏时会遭受腐蚀,从而导致混凝土损坏。目前已有多种方法保护混凝土,使其免受或延缓腐蚀。电化学修复是一种新兴的技术,效果较好,作为钢筋混凝土结构修复的新方法以其独有的优点成为各国研究的热点。为此,主要就电化学修复的基本原理、应用、国内外研究现状作了评述,并根据研究中存在的问题提出了一些观点和建议,为后续的研究工作做参考。

复方乌酸盐对铜缓蚀协同作用的光电化学和SERS研究

主要采用电化学方法和表面增强拉曼光谱技术对具有环境友好性的钨酸盐与BTA复配使用对铜的缓蚀协同效应和作用机理进行了研究。实验表明Na2WO4对铜的缓蚀作用机理与BTA不同，在电位正向扫描过程中，光电流并不发生转型，基大小变化也不大；但在电位负向扫描过程中产生的阴极光电流峰值明显增大，缓蚀剂浓度越大，光电流越大，缓蚀效果 越好。而Na2WO4与BTA复配使用时具有较好的协同效应，光电化学和SERS结果都说明其协同机理为两者都能对铜的缓蚀产生作用，前者参 能促使电极表面产生的铜的氧化物增多；后者能与铜（I）生成聚合物膜。

铜电极在含苯并三唑的硼砂-硼酸缓冲溶液中的光电化学行为研究

用光电化学方法研究了铜电极在含苯并三唑(BTA)的硼砂—硼酸缓冲溶液中的光电化学行为.BTA能使铜电极的光响应由p-型转变为n-型.产生光响应的原因是铜电极表面的Cu_2O膜, 当BTA存在时由于BTA的作用致使电极表面Cu_2O膜中共存着P-型和n-型区域,电位正移和频率增加导致电极显示n-型光响应.

再碱化后的钢筋混凝土长期电化学研究

采用交流阻抗谱和极化曲线,对再碱化后钢筋混凝土进行电化学研究.再碱化试验参数是:电流密度3A.m-2,5A.m-2;再碱化天数14和28d;电解液为1mol/L的碳酸钠电解液.同批碳化试件分8组再碱化,时间间隔为1,2,3,8,9,10,13个月,然后放入室内.再碱化试验结束后,测试钢筋混凝土的交流阻抗谱、钢筋的开路电位、腐蚀电流和pH;对再碱化后试件的开路电位从-1 100mV经过一定时间正移到-300mV以上的现象进行再碱化模拟试验研究.结果表明,再碱化过程中,阴极钢筋处产生的氢气使钢筋的再钝化比较缓慢;再碱化处理之后要弛豫一段时间才可检测钢筋电化学;在本试验条件下,再碱化后钢筋混凝土电化学性能随着时间衰减;再碱化后10～13个月,电化学性能逐渐趋于稳定.

BTA衍生物对铜缓蚀作用的光电化学研究

研究了铜电极在含 BTA及其系列 CBTME、CBTBE三种缓蚀剂的硼砂缓冲溶液 ( p H9.2 )中的光电化学行为。当溶液中含有一定量的 BTA、CBTME和 CBTBE时 ,电位在正向扫描过程中 ,电极光响应由 p型转变为 n型。BTA的缓蚀作用优于 CBTME和 CBTBE。一定比例的 BTA和CBTME复配后对铜的缓蚀作用有协同效应。可以用光电化学方法评价铜缓蚀剂的效果。交流阻抗法测得的结果与光电化学方法相符。

不锈钢载波钝化膜的光电化学研究

采用光电化学方法研究了304不锈钢载波钝化膜在硼酸/硼砂溶液中的光电化学性质.通过测量钝化膜的光电流与入射光光子能量的关系和光电流与测量电位的关系,结合半导体理论,对载波钝化膜的半导体特性和结构进行了分析.结果表明,载波钝化膜是一高度无序的非晶态半导体膜且具有p型半导体特性.膜层的光电流对测量电位的响应在一定范围内符合Poole-Frenkel效应,但在其它范围内则具有一定的复杂性.

碱性介质中铜镍合金及铜电极的光电化学研究

用动电位伏安法和光电化学方法对铜镍合金(7％Ni+93％Cu)和铜电极在碱性介质中的电化学行为进行了研究。铜镍合金电极的阳极氧化膜呈p型光电响应,光电响应来自电极表面的Cu_2O膜,其厚度大于纯铜电极的Cu_2O膜。铜电极在碱性Na_2SO_4溶液中电位正向扫描时的光响应呈p型,点蚀电位以后光响应从p型转为n型。

钛钼合金电极在酸性介质中的电化学研究

采用交流阻抗和光电化学等测量方法研究了钛钼合金电极在0.2mol.L-1硫酸和0.2mol.L-1盐酸溶液中的电化学行为。交流阻抗测试结果表明,随着形成钝化膜的极化电位的增加,合金电极的阻抗增大,Mo在合金中的含量达到20%时,电极的阻抗模值|Z|0.05达到最大值;光电流循环伏安测量结果表明合金电极在阳极极化过程中显示阳极光电流,光电流iph随阳极极化电位增大而增加,表明电极表面膜呈n型半导体性质。

苯并三氮唑和4-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较

采用光电化学方法和交流阻抗方法将不同浓度的 BTA(苯并三氮唑 )和 4CBTA( 4 -羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 ( p H9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较。发现在阳极向电位扫描中 ,一定浓度的 BTA作用下 ,铜电极光响应由 p型转化为 n型 ,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,n型光响应越大 ,缓蚀剂的缓蚀性能越好 ;而在 4CBTA作用下 ,铜电极光响应保持 p型 ,然其阴极向扫描中最大光电流变化明显 ,并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,最大阴极光电流愈大 ,缓蚀效果越好。同时这两种缓蚀剂均可用 Φv 和某一较负电位下的阴极光电流 iph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,Φv 和 iph越负 ,缓蚀性能越好 ,交流阻抗方法的结果和光电化学的结果相一致。

铜镍和铜钴合金电极在碱性介质中的光电化学

用动电位伏安法对含镍量10％、30％和50％的铜镍合金以及含钴量5.1％、9.7％、15％、25％和40％的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液（pH 8.5）中的光电化学行为进行了研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应，铜镍合金的光响应来自Cu2O，铜钴合金的光响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10％和30％的铜镍合金电极以及含钴量5.1％铜钴合金电极的最大光电流iph，max均大于纯铜电极，含钴量15％、25％和40％的铜钴合金电极以及含镍量50％的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有，iph，max小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值（电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位）负于纯铜电极，而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等，NiO的存在致使铜镍合金表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph，max反映铜合金的耐腐蚀性能与交流阻抗法测得的结果相符.

苯并三氮唑和5-羧基苯并三氮唑对铜缓蚀作用的光电化学比较

采用光电化学方法和交流阻抗方法对不同浓度的BTA(苯并三氮唑 )和 5CBTA(5 羧基苯并三氮唑 )在硼砂缓冲溶液 (pH 9.2 )中对铜电极的缓蚀性能作了比较研究。研究发现两者对铜的缓蚀作用机理不同。一定浓度的BTA能使电极表面Cu2 O膜的结构改变 ,在电位正向扫描过程中铜电极光响应由p型转化为n型 ,并可依此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,n型光响应越大 ,缓蚀剂的缓蚀性能越好 ;而 5CBTA能使电极表面的Cu2 O膜增多 ,在电位负向扫描过程中阴极光电流密度明显增大 ,并可据此判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,阴极光电流密度愈大 ,缓蚀效果越好。同时这两种缓蚀剂均可用 φV 和某一较负电位下的阴极光电流密度Jph的大小来判断缓蚀剂的缓蚀性能 ,φV 和Jph越负 ,缓蚀性能越好。

评定阻垢剂性能的电化学方法

通过测量不锈钢表面结垢后引起的氧阴极还原电流的变化来评价金属表面结垢程度。该法重现性较好，评定时间较短，可明显地比较出金属在不同溶液中的结垢程度，并可直接评定金属表面垢的覆盖率。

电沉积CuInSe_2上H_2O_2阴极还原时的电化学振荡行为

用电沉积方法得到的CuInSe_2薄膜在阴极还原H_2O_2时发现了周期性的电化学振荡现象,并研究了极化电位对该振荡行为的影响.循环伏安测试表明电流一电势曲线中存在“电流波”,电流突变区域具有负斜率性质.用交流阻抗法研究了振荡体系的阻抗变化,发现在振荡电势区域体系存在负电阻和电感成分,这反映出振荡机理中可能存在吸附中间物和自催化反应.

电沉积AuInSe_2半导体薄膜上的电化学振荡现象

研究了电沉积制得的ＡｕＩｎＳｅ２半导体薄膜上过氧化氢阴极还原过程中产生的电化学振荡行为，对影响该振荡行为的一些因素如半导体薄膜的后处理、溶液组成、传质、光照、化学浸渍作用等进行了分析，同时采用外界周期性光照和外接小幅度正弦波电位来调节振荡频率，为金铟硒半导体薄膜发展成为光电传感器件提供了一定的理论与实践基础．

交变电场下不锈钢的电化学行为

主要研究了交变电场下SS30 4不锈钢在 2 .5mol/L硫酸溶液中的表面成膜情况 .运用电位阶跃研究了不锈钢在交变电场高电位、低电位下的电化学反应 ;用AFM准现场地观察了不锈钢在交变电场下各个阶段的成膜状况 ;用XPS分析了膜层的纵向组成结构 .结果表明 :交变电场下不锈钢表面钝化膜的生长机制不同于直流钝化 .

AgInSe_2薄膜的电沉积及其上的光电化学振荡行为

采用电沉积方法得到了AgInSe_2薄膜,并研究了它的一些光电性质.发现在其上阴极还原H_2O_2时会产生周期性的电化学振荡现象,且该振荡行为有效地受外界斩光频率控制,这将可能发展成为光电传感器.

模糊聚类分析评价防锈油膜电化学不均匀性

采用遗传算法构造的模糊聚类分析，用于防锈油膜电化学不均匀性研究．通过对防锈油膜电化学不均匀参数的解析，可以对防锈油膜进行快速分类和评价．研究表明，防锈油膜存在三种类型的膜，即腐蚀性膜、保护性膜和不稳定膜．

电沉积金铟硒半导体薄膜上的电化学振荡现象

采用现场动态阻（容）抗法对不同支持电解质溶液中电沉积金铟硒薄膜电极上阴极还原Ｈ２Ｏ２时产生的电化学振荡行为进行了研究。通过ＡＥＳ能谱和激光扫描电化学测试对振荡前后的电极表面组成及状况的分析发现，电化学振荡能使金铟硒半导体薄膜的光电效应减弱乃至消失，其原因是由于随着振荡的进行破坏了金铟硒的半导体结构和半导体溶液界面结构。对振荡机理的研究发现，在以ＫＣｌ为支持电解质的电化学振荡体系中，由于Ｃｌ－的特性吸附和活化作用，并且在振荡过程中Ｃｌ－参与了薄膜的组成，其阴极向扫描过程中振荡产生的极化电位区域与阳极向过程相吻合；而在以ＫＮＯ３为支持电解质的振荡体系中，由于没有Ｃｌ－的特性吸附，其阴极向过程与阳极向过程中振荡产生的极化电位区域表现出一定的差异。

金属基底污染程度对防锈油膜电化学不均匀性的影响

采用丝束电极研究了金属基底污染程度对防锈油膜电化学不均匀性的影响。研究表明 ,基底金属表面受氯化钠污染的程度会影响防锈油膜腐蚀电位及油膜极化电阻分布的不均匀性及其分布规律。随着污染程度的增加 ,防锈油膜腐蚀电位服从不连续二项分布 ,防锈油膜阳极极化电阻Ra 从对数正态分布到指数分布转变为不连续二项分布 ,防锈油膜阴极极化电阻Rc 服从对数正态分布。进一步研究表明 ,基底污染将促进防锈油膜的腐蚀电位和油膜阳极极化电阻的不均匀分布 ,但有利于油膜阴极极化电阻的均匀分布。