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镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰
1
作者
邓薰南
印建华
+3 位作者
范钦柏
沈增德
梁培辉
张伟清
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期432-437,共6页
本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响,观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性,测定和讨论了八种有机物制得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用,最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增,还研究了...
本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响,观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性,测定和讨论了八种有机物制得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用,最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增,还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为,发现它具有良好的光电效应。
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关键词
LB膜
单晶硅
光电化学
镍
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职称材料
长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响
2
作者
邓薰南
范钦柏
+2 位作者
印建华
梁培辉
张伟清
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993年第8期743-747,共5页
本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后光吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60 mW·cm^(-2)溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN)_6^(3-14-)/Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳...
本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后光吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60 mW·cm^(-2)溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN)_6^(3-14-)/Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳定性亦有明显改善.交流阻抗测量表明,光照使n-Si/Ni/3LB电极的电解电阻大大减小,实验结果表明,硬脂酸香豆素LB膜对n-Si/Ni电极上的光致电荷传递过程的修饰作用是良好的.
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关键词
LB膜
光电化学
半导体电极
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职称材料
题名
镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰
1
作者
邓薰南
印建华
范钦柏
沈增德
梁培辉
张伟清
机构
上海科学技术大学电化学研究室
中国
科学
院
上海
光学精密机械
研究
所
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993年第5期432-437,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研究了金属(镍、铅)与Langmuir-Blodgett膜对n-Si电极光电化学行为的影响,观察到镍与铅能增强该电极的能量转换效率与稳定性,测定和讨论了八种有机物制得的LB膜对n-Si/Ni电极的修饰作用,最佳的长链香豆素LB膜使其效率倍增,还研究了具有MIS器件结构的Si/LB/Al电极的光电化学行为,发现它具有良好的光电效应。
关键词
LB膜
单晶硅
光电化学
镍
分类号
O646.5 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响
2
作者
邓薰南
范钦柏
印建华
梁培辉
张伟清
机构
上海科学技术大学电化学研究室
中国
科学
院
上海
光学机械
研究
所
出处
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993年第8期743-747,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文研究了由硬脂酸香豆素制得的LB膜对n-Si/Ni电极性能的修饰作用.该LB膜沉积方式是Z型的,成膜之后光吸收蓝移(由343nm移至325nm).在60 mW·cm^(-2)溴钨灯光照下,n-Si/Ni/3LB/Fe(CN)_6^(3-14-)/Pt电池的光电转换效率增大了一倍,稳定性亦有明显改善.交流阻抗测量表明,光照使n-Si/Ni/3LB电极的电解电阻大大减小,实验结果表明,硬脂酸香豆素LB膜对n-Si/Ni电极上的光致电荷传递过程的修饰作用是良好的.
关键词
LB膜
光电化学
半导体电极
分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
镍、铅、LB膜对n-Si光电极的修饰
邓薰南
印建华
范钦柏
沈增德
梁培辉
张伟清
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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职称材料
2
长链香豆素LB膜对n-Si/Ni液结上的光致电荷转移的影响
邓薰南
范钦柏
印建华
梁培辉
张伟清
《化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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职称材料
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