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新型贴片中空保险丝设计
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作者 王军 王亚 李峰 《今日制造与升级》 2024年第5期41-43,共3页
中空保险丝作为电路发生故障或过电流时的保护器件,具有反应灵敏、工艺简单、成本低等优点,备受市场青睐。但现有贴片中空保险丝结构单一,可靠性一般,限制了贴片中空保险丝的广泛应用。为改进保险丝器件的连接强度及可靠性,提出了压埋... 中空保险丝作为电路发生故障或过电流时的保护器件,具有反应灵敏、工艺简单、成本低等优点,备受市场青睐。但现有贴片中空保险丝结构单一,可靠性一般,限制了贴片中空保险丝的广泛应用。为改进保险丝器件的连接强度及可靠性,提出了压埋式设计和斜拉式设计。特别是将熔丝可变角度的设置于空腔中这一独特的结构设计。相同产品尺寸,斜拉式产品可装载更长熔丝;相同阻值要求,采用相同规格的熔丝,斜拉式产品体积可做到更小;相同产品尺寸,相同阻值要求,斜拉式产品的熔丝截面大于常规产品熔丝截面,进而允许导通更大电流,使得产品具备更强的耐脉冲能力。 展开更多
关键词 贴片 中空保险丝 斜拉式 设计
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手机快充智能防护方案
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作者 王军 李佳豪 严林 《电子产品世界》 2024年第4期4-7,共4页
随着手机和其他便携式电子产品的快速发展,快充技术逐渐成为主流。因此充电端口的过温、浪涌防护越来越受到重视。传统快充领域需要对浪涌事件与充电端口发热引发自燃的状况分别进行防护。提出一种快充端口防护方案,采用双向瞬态电压抑... 随着手机和其他便携式电子产品的快速发展,快充技术逐渐成为主流。因此充电端口的过温、浪涌防护越来越受到重视。传统快充领域需要对浪涌事件与充电端口发热引发自燃的状况分别进行防护。提出一种快充端口防护方案,采用双向瞬态电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)和电阻组成自适应模块用于浪涌检测,利用过温防护(over temperature protection,OTP)金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)作为浪涌泄放单元。当浪涌事件发生时,TVS被击穿,小电流流经串联的电阻并驱动OTP MOSFET泄放后续的大浪涌电流,对后续敏感集成电路(integrated circuit,IC)起到保护作用。另外,OTP MOSFET还具有充电端口异常时防烧的功能。当温度过高时,微控制单元(microcontroller unit,MCU)将驱动OTP MOSFET导通,将电压总线(voltage bus,Vbus)短接到地。足够大的短路电流将使适配器进行过流防护操作,以关闭充电电流,保护充电端口。 展开更多
关键词 浪涌 快充技术 OTP MOSFET
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PVDF/WC复合体系保护元件电性能研究
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作者 张伟 吴国臣 范文来 《电子产品世界》 2024年第6期16-20,共5页
研究了碳化钨(WC)与炭黑(C)分别作为导电粒子制备而成的两种过电流保护元件;对保护元件的体积、正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)效应、电阻—温度(resistance-temperature,R-T)特性、耐电压等级、动作可靠性和环境可... 研究了碳化钨(WC)与炭黑(C)分别作为导电粒子制备而成的两种过电流保护元件;对保护元件的体积、正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)效应、电阻—温度(resistance-temperature,R-T)特性、耐电压等级、动作可靠性和环境可靠性等进行对比分析。结果表明,与聚偏氟乙烯/炭黑(PVDF/C)复合体系保护元件相比,聚偏氟乙烯/碳化钨(PVDF/WC)复合体系保护元件具有体积小、R-T转折温度高和R-T强度高的特点。当辐照剂量超过160 kGy时,可以消除负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)效应现象,并将耐压等级提升至30 V以上。但是相较于PVDF/C复合体系保护元件,PVDF/WC复合体系保护元件在环境可靠性以及动作可靠性上还存在一定的差距,探究了产生上述差距的内在机制。 展开更多
关键词 碳化钨 过电流保护元件 AEC-Q200 R-T特性
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