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限制SSD法晶体生长速度关键过程的探讨
1
作者
汪道刚
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期150-156,共7页
在日本学者渡部尚三等人提出SSD法后,依据他们的理论,迄今通常认为限制SSD法晶体生长速度的关键过程是磷在G_α熔体中的扩散输运过程。本文通过对国外几位学者较为典型的工作的分析比较,提出显然不能为此理论解释的实验事实。在进行了...
在日本学者渡部尚三等人提出SSD法后,依据他们的理论,迄今通常认为限制SSD法晶体生长速度的关键过程是磷在G_α熔体中的扩散输运过程。本文通过对国外几位学者较为典型的工作的分析比较,提出显然不能为此理论解释的实验事实。在进行了理论分析之后,本文提出限制SSD法晶体生长速度的关键过程,首先不是磷在G_α熔体中的扩散输运过程,而是生长介面处的结晶过程。
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关键词
晶体生长
关键过程
组分过冷
平均温度梯度
SSD
限制
下载PDF
职称材料
题名
限制SSD法晶体生长速度关键过程的探讨
1
作者
汪道刚
机构
上海科技大学半导材料及应用教研组
出处
《发光学报》
EI
CAS
1979年第Z1期150-156,共7页
文摘
在日本学者渡部尚三等人提出SSD法后,依据他们的理论,迄今通常认为限制SSD法晶体生长速度的关键过程是磷在G_α熔体中的扩散输运过程。本文通过对国外几位学者较为典型的工作的分析比较,提出显然不能为此理论解释的实验事实。在进行了理论分析之后,本文提出限制SSD法晶体生长速度的关键过程,首先不是磷在G_α熔体中的扩散输运过程,而是生长介面处的结晶过程。
关键词
晶体生长
关键过程
组分过冷
平均温度梯度
SSD
限制
分类号
F2 [经济管理—国民经济]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
限制SSD法晶体生长速度关键过程的探讨
汪道刚
《发光学报》
EI
CAS
1979
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