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限制SSD法晶体生长速度关键过程的探讨
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作者 汪道刚 《发光学报》 EI CAS 1979年第Z1期150-156,共7页
在日本学者渡部尚三等人提出SSD法后,依据他们的理论,迄今通常认为限制SSD法晶体生长速度的关键过程是磷在G_α熔体中的扩散输运过程。本文通过对国外几位学者较为典型的工作的分析比较,提出显然不能为此理论解释的实验事实。在进行了... 在日本学者渡部尚三等人提出SSD法后,依据他们的理论,迄今通常认为限制SSD法晶体生长速度的关键过程是磷在G_α熔体中的扩散输运过程。本文通过对国外几位学者较为典型的工作的分析比较,提出显然不能为此理论解释的实验事实。在进行了理论分析之后,本文提出限制SSD法晶体生长速度的关键过程,首先不是磷在G_α熔体中的扩散输运过程,而是生长介面处的结晶过程。 展开更多
关键词 晶体生长 关键过程 组分过冷 平均温度梯度 SSD 限制
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