CaS:M(M=RE、Cu、Mn)发光材料的合成及其发光性质

本文介绍了用气相法合成适用于电致发光薄膜的CaS发光材料,给出了它们的激发光谱和发射光谱,并讨论了掺杂浓度对发光强度与发射光谱位置的影响。从根据发射光谱算出的色座标数据,CaS:Cu(x=0.16,y=0.06)有可能成为一种良好的兰粉用于电致发光薄膜。

稀土材料的磁热效应及其应用

本文介绍了稀土金属及其合金的磁热效应。综述了磁热效应（ＭＣＥ）的热力学理论、测量ＭＣＥ的实验方法；稀土金属及其合金的ＭＣＥ研究结果以及磁热材料在磁致冷器方面的应用。

BaTiO_3基材料PTCR理论进展

着重介绍了ＰＴＣＲＢａＴｉＯ＿３材料中的界面析出模型。界面析出模型能比较满意的解释ＢａＴｉＯ＿３材料中的ＰＴＣＲ效应，但是它是对以往模型的继承和发展。为了更深刻地理解界面析出模型，本文用了分析对比的方法，对各种模型进行了比较。

程控交换机用的PTC限流器材料及其特性

本文采用一般PTC陶瓷生产工艺制备了适宜于程控交换机用的限流器材料,该材料主要性能为:T_c≈130±5℃,ρ室温≈30Ω·cm,△ρ_v(ρ最大/P最小)≈10~6,at>18%/℃,V_(耐压)>150V/mm。测量了由此材料制造的电话保安限流元件的性能,结果表明,所研制的PTC材料电话保安限流元件能满足上无三十五厂程控交换机的要求,并可应用于其它电话交换机中。

BaTiO_3基PTC材料中棒形物形成机制的探讨

在含过量TiO_2的BaTiO_3基PTC材料中发现了棒形晶体。探讨了这些棒形物的形成机制,及其对材料性能的影响。

MTY系列埋入式陶瓷辐射元件

埋入式陶瓷辐射元件(简称MTY)由玻璃陶瓷基体-电热丝-辐射釉层整体在1200℃以下烧结而成,结构如图1所示。基体以矿物原料和工业废料制成,辐射釉层由工业原料合成。因此,原料及元件制作过程中的总耗电量低于碳化硅元件。

以BBOT为电子传输层的聚合物蓝色发光二极管

以ＢＢＯＴ为电子传输层的聚合物蓝色发光二极管张志林，蒋雪茵，许少鸿（上海科技大学材料系，上海２０１８００）齐藤觉，长友隆男，大本修（日本芝浦工业大学工学部，东京１０８，日本）在前篇文章中［１］，我们报导了以ｐｅｒｙｌｅｎｅ掺杂的ＰＶＣｚ聚合物单层电致...

ZnS:Eu^(2+)的长余辉发光

Eu^(2+)的5d能级在许多晶体中都低于其4f能级的最低激发态(~6P_(7/2)),因此发光呈带状光谱,且发射波长随基质变化很大。 由于5L→4f是容许跃迁,所以发光的衰减很快,通常在μs数量级,出人意料的是ZnS:Eu的发光尽管也是Eu^(2+)的5d→4f跃迁,但衰减却极慢,达几十分钟的数量级。 弛豫曲线的分析表明,这种长的弛豫是电子陷阱造成的。

不同工艺制备ZrO_2—Al_2O_3复合陶瓷超细粉体的研究

采用正滴定工艺、反滴定工艺和水解工艺来制备ZrO_2—Al_2O_3系复合陶瓷超细粉体.研究了制备工艺对水合氧化锆凝胶的包裹状态、煅烧后粉体中ZrO_2.颗粒的弥散状态以及烧结体显微结构的影响.结果表明采用水解工艺,ZrO_2颗粒能均匀弥散在Al_2O_3颗粒周围,最终获得均匀细晶的陶瓷烧结体;在反滴定工艺中,虽然水含氧化锆凝胶能较好包裹Al_2O_3颗粒,但由于Al_2O_3颗粒本身得不到有效分散,因此在烧结体中出现了Al_2O_3晶粒的聚集现象.

不同工艺制备的水合氧化锆凝胶之特性

用水解沉淀法和中和沉淀法两种工艺制备了水合氧化锆凝胶,并与经乙醇脱水处理后的水合氧化锆凝胶的形貌、热性能、相态以及红外吸收光谱作了比较。

一种测量物质折射率的新方法—Eu^(3+)离子发射光谱法

本文提出一种利用Eu^(3+)离子发射光谱来测定物质析射率的方法,使可测对象不仅限于晶体和玻璃,而且扩展到粉末样品。用此方法检验几种已知析射率的材料,都得到较好的符合。

多晶单斜氧化锆颗粒的水解法合成

利用透射电子显微镜研究了在一密闭容器内恒沸条件下氧氯化锆溶液中所形成的产物的聚合长大过程。结果发现:在不同浓度的氧氯化锆溶液中于恒拂过程先形成微细的子晶核,子晶核再通过聚合作用长大成具有一定大小、一定形状的单斜氧化锆颗粒。尿素的添加对产物的聚合长大过程起了促进作用。

掺杂的有机薄膜电致发光

用DCM染料和香豆素染料掺杂,成功地实现了有机薄膜电致发光颜色的改变,得到了从蓝绿到红色的发光,同时提高了器件的发光亮度,用不同区域掺杂方法,分析讨论了电致发光的机理,探讨了激子的产生区域和复合区域。

类金刚石薄膜可见光透过特性的研究和应用

改进类金刚石薄膜的制备工艺,在一定的氢气组分和衬底偏压条件下所得薄膜具有较宽的可见光透过特性。用于硅太阳电池时,可在较宽的波长范围(550nm—1000nm)内改善电池的光谱特性,使短路电流增益率达到38％。

用射频CVD法在石英玻璃上生长微晶金刚石薄膜

利用射频等离子体化学气相沉积法（ｒ，ｆ．ｐｃｖＤ），在石英玻璃上生长出透明均匀的薄膜，经过电子衍射，激光喇曼散射，可见光透过率等测试，证明是金刚石薄膜，通过透射电子显微镜看不到颗粒。

氧氯化锆水解产物的热分析研究

本文利用 TEM、DTA、TG、IRS 等实验分析手段,研究了氧氯化锆溶液在密闭容器中恒沸后获得的水解产物的特性.结果表明,获得的水解产物中存在着一定数量的结构水;初始氧氯化锆溶液浓度不同,获得的水解产物结构也是有所区别的,浓度愈高,产物的结晶完整性愈差:从热失重曲线上近似地估算了产物结构中 OH^-的含量,其结果是 ZrO_2∶OH^-=1∶1(摩尔比).

用射频化学气相沉积法制备P型微晶金刚石薄膜

利用射频化学气相沉积法，通过硼的掺杂，在石英玻璃衬底上生长出Ｐ型微晶金刚石薄膜，范德堡法的测试表明，我们得到的薄膜最小电阻率为４×１０－２Ω．ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ．ｓ；

Cd_xZn_(1-x)S:SmF_3的红色薄膜电致发光

本文首次报道了用Cd_xZn_(1-x)S替代ZnS作为基质,改进SmF_3的TFEL的实验;通过适当地在基质中掺杂CdS,在一定程度上提高了SmF_3的TFEL发光亮度;分析了Cd_xZn_(1-x)S基质中Cd含量对SmF_3的TFEL的影响,探讨了发光亮度提高的原因.

铌酸钾半导瓷的烧结及其电性能

通过在 KNbO_3合成料中添加钾锗玻璃的方法,烧结后得到了 KNbO_3半导瓷,其样品有较大电阻率,并在 KNbO_3晶体的两个相变点附近发生 PTC 电阻反常。样品的制备工艺参数如烧结温度、保温时间等对其成瓷性能、电学性能和显微结构等均有影响。对样品所做的 SEM 和 TG 分析结果表明:在 KNbO_3陶瓷中,K_2O 在烧结温度下发生明显的挥发,样品中晶粒和晶粒之间含有较多气孔。KNbO_3材料的固有特性和成瓷特性使该半导瓷具有一些独特的电学性能。