碳化硅功率器件中的金属半导体接触工艺研究

分析碳化硅肖特基接触工艺和欧姆接触工艺技术发展历程,目前存在的问题。碳化硅肖特基接触工艺的发展特征是低势垒高度金属逐渐替代高势垒高度金属,研究发现这与器件应用场景的进化和碳化硅工艺技术水平的发展直接相关。随着更多器件结构设计的引入,碳化硅P型欧姆接触已经变得和N型欧姆接触同等重要。阐述碳化硅金属半导体接触工艺未来优化的方向。

浅议人工智能时代财务会计向管理会计的转型

随着人工智能技术的应用范围越来越广泛,对会计转型也起到了一定的促进作用,推动财务会计转向管理会计是企业未来发展的必然选择。新时期下,管理会计已成为企业经营中不可或缺的一部分,可以为企业提高自身管理水平提供有利条件。基于此,本文从会计转型的必然性出发,分析了人工智能时代财务会计向管理会计转型面临的问题,并探讨了相应的解决对策。

数字经济时代企业财务会计的转型探讨

在数字经济时代,技术的迅猛发展重塑了全球经济的面貌,对企业经营的每一个环节产生了深远的影响。其中,企业财务会计作为企业管理的重要组成部分,其面临的挑战尤为显著。数字技术的广泛应用改变了财务信息的处理方式,也重新定义了财务会计的职能与目标。传统的财务会计模式和方法在当前的经济环境下显得力不从心,亟需对其进行深度的转型和优化,以适应数字经济时代的新要求。在这一背景下,企业财务会计的角色和功能正经历前所未有的变革,从传统的记录和报告职能,向更加强调数据分析、风险管理和决策支持转变。面对数字经济的挑战,企业财务会计的转型已成为避免被时代淘汰的关键途径。转型的过程涉及多个方面,包括技术应用的升级、财务管理模式的创新、组织结构和流程的调整,以及对新兴技术和工具的快速适应等。这一过程不仅要求财务人员具备更高的专业技能和更宽的知识视野,也要求企业构建一个支持创新、灵活高效的财务管理体系。本文的目的在于探讨在数字经济时代背景下,企业财务会计如何实现有效的转型和优化,凭借深入研究财务会计面临的挑战,提出具体的转型策略和优化方案,为企业在数字经济时代中稳健发展提供理论指导和实践建议。

漏磁内检测缺陷信号的快速识别方法

漏磁内检测缺陷信号分析识别是漏磁检测技术的关键部分,为了快速识别管体缺陷信号,提高数据分析的准确率和效率,开发了基于低通滤波和差分的信号处理算法,并对漏磁内检测探头的各通道检测信号进行降噪优化处理,确定了管体缺陷识别规则。工程检测结果表明,处理过的检测信号清晰、易于快速识别,开挖检测结果与信号识别结果一致,该信号处理方式有助于快速准确识别管体缺陷信号。

基于Proteus的多通路温度采集半物理仿真系统设计

提出了一种基于Proteus的多通路温度采集半物理仿真系统,详细介绍了基于Proteus的硬件在回路仿真技术的实现过程。该系统利用Proteus软件中的电路仿真功能,将实际硬件电路与仿真电路相结合,实现了对多通路温度采集系统的仿真。经实验证明,该系统具有精度高、实时性好和易于远程分布式测量及定位的优势,提高了温度测量效率。该技术可以有效提高系统开发的效率和质量,简化设计流程,降低开发成本,同时缩短研发周期,增强软硬件之间的兼容性。此外,该系统还为后续相关系统的开发提供了一种新思路,具有较高的实用价值和应用前景。

功率器件IGBT氢缓冲层工艺及特性研究

阐述IGBT氢缓冲层的实验分析,包括退火工艺、退火温度、IGBT器件性能关系,工艺结构与IGBT器件的性能关系,借助SIMS测量方法分析氢缓冲层经过400℃退火条件后氢掺杂分布变化。

我国2008—2019年“信息资源建设”专著的出版现状分析

本文基于中国国家图书馆官网的书目检索系统,采用共现分析和词云分析对2008—2019年“信息资源建设”专著的出版数量、出版内容和出版特点进行了分析,指出“信息资源建设”专著出版数量经历了从减少到增多的过程;出版专著以信息资源为内容,以图书馆信息资源建设工作为对象,注重建设、管理、服务等工作的一体化研究;出版具有数量少、涉及主体类型单一、较少涉足其他行业、应该与时俱进的特点。

环栅纳米线FET自热效应及微尺度空间效应研究

研究了纳米线高度与纳米线宽度对5 nm制程垂直堆叠式环栅纳米线场效应晶体管(GAA NWFET)中自热效应及微尺度空间效应的影响机理。利用Sentaurus TCAD软件对不同尺寸的纳米线器件性能进行仿真,采用控制变量法,以0.5 nm为步长,分别将纳米线高度及宽度从4 nm增加至8 nm。仿真结果表明,当纳米线高度及宽度分别取4 nm和6.5 nm时,可最大程度规避微尺度空间效应对载流子迁移率的影响,并有效提升散热能力,使器件开态电流增加44.4%,沟道热学电阻减小60.3%。此外,设置纳米线高度为4 nm,依次将顶部/中部/底部沟道的纳米线宽度从6.5 nm增加至8 nm,发现当底部沟道的纳米线宽度相等时,增加靠近体硅处的沟道宽度更有利于改善器件的电热性能。

多栅Fin FET性能研究及参数优化

利用TCAD软件搭建高效的双栅及三栅FinFET模型,研究影响多栅器件性能的相关参数。结果显示,随着栅极有效控制面积的增加,器件栅控能力得到明显增强。当三栅FinFET栅长缩减至10nm,鱼鳍高度及鱼鳍宽度分别取Fh=40nm,Fw=5nm时,器件亚阈值参数基本达到理想值:亚阈值斜率(SS)为66.35mV/dec,漏端致势垒降低效应(DIBL)为24mV且由鱼鳍形状引入的拐角效应也得到一定程度上的缓解。最后,以高介电常数(高k)材料HfO2替代传统低介电常数材料SiO2作为三维小尺寸器件的栅氧化层介质,发现HfO2的引入可进一步优化三栅FinFET(Lg=10nm,Fh=40nm,Fw=5nm)亚阈值区域性能:SS下降至61.76mV/dec,DIBL下降至6.47mV。

低导通压降和低反向漏电流碳化硅肖特基二极管的研究

提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化产品进行对比。使用更低势垒高度的钼(Mo)金属作为肖特基势垒金属,显著降低器件的开启阈值电压,利用碳化硅等离子干法刻蚀技术形成深沟槽,在此基础上离子注入形成的深P+结,可以在反向阻断时较好的屏蔽肖特基金属表面的电场强度,从而降低器件的反向漏电流。双外延的引入则大大降低了P+结之间的沟道电阻,提升器件整体导通性能。

内审视角下企业财务审计向效益审计延伸的研究

随着企业面临着愈发复杂的生产经营环境,企业内部审计工作面临着严峻挑战。传统财务审计是企业开展内部控制和风险管理的重要依据,但当前财务审计已经不能完全满足企业长期发展需要,财务审计向效益审计延伸成为企业提升整体绩效的重要途径。文章首先明确了财务审计与效益审计的差异与联系,在阐明企业财务审计向效益审计延伸必要性的基础上,深入剖析了企业财务审计向效益审计延伸的障碍,并针对性地提出了企业财务审计向效益审计延伸的策略,为企业开展相关工作提供参考。