奋进中的上海贝岭技术中心

上海贝岭股份有限公司(简称上海贝岭)的前身是上海贝岭微电子制造有限公司.公司建立于1988年9月,是国内集成电路制造骨干企业之一,被列为全国520家重点企业之一.1998年8月,上海贝岭改制上市,成为我国微电子行业的第一家上市公司.公司主要从事大规模集成电路的设计、开发、制造、销售和应用服务.

上海贝岭民用消费类IC可靠性初探

众所周知,电子产品的质量依赖于其所用的元器件的技术性能及可靠性。并且所用的元器件数量越多,对其的影响也越显著。本文就上机失效率、产品的环境试验及寿命试验等方面对贝岭民用消费类集成电路的可靠性作初步的探讨。

机遇创造市场 创新成就辉煌——上海贝岭公司在仓储、图书馆、危险化学品管理中RFID成功案例介绍

随着国内RFID市场的迅速成长,上海贝岭公司的RFID系列产品的性能已达到国际先进水平。本文介绍了贝岭RFID产品在仓储,图书馆和危险化学品管理应用的成功案例及项目成绩。

基于Wi-Fi技术的智能照明模块设计

阐述基于Wi-Fi技术的智能照明模块设计,探讨针对不同的需求,满足其智能控制的应用,可以使用PWM调光、模拟调光的不同调光方式,实现调光的功能,分析多个设计方案的特点。

智能电表继电器驱动芯片的设计

阐述一款智能电表继电器驱动芯片的设计,该芯片通过智能电表中的MCU控制磁保持继电器的开合。它具备控制信号稳定,抗干扰能力强,成本优势突出的特点,使电表的设计更为简化。

高可靠LIN控制器IP的设计与实现

LIN虽然为传统总线,但仍大量应用在汽车、智能家居和工业控制等领域。基于此,设计一种高可靠LIN控制器IP。基于AMBA APB3.0标准接口的IP不仅实现了LIN协议规定的数据收发、网络管理等功能,还增加了大量可靠性和安全性相关功能,如错误监测、看门狗、环回自测试、显性电平监控等,通过这些可靠性措施使得IP达到ASIL-B级技术指标要求。针对IP搭建仿真验证环境,完成了SoC级仿真和FPGA原型验证,并基于国内某流片厂商110 nm工艺,完成了逻辑综合,生成了Verilog格式的网表文件。通过测试和逻辑综合分析得出:所提出的控制器IP性能满足协议和设计需求,在110 nm三温三压极限条件最高频率可达625 MHz,逻辑单元约为5 950,等效逻辑门约为10 554,面积为34 676μm2。该IP功能优于对比文献,可直接集成到微控制器MCU、SoC和FPGA设计中,减少设计周期和产品上市时间。

一种32MHz低温漂高精度张弛型振荡器的设计

阐述基于0.18μmCMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器。该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移。

高科技企业中的KPI考核策略分析

阐述高科技企业中的关键绩效指标(KPI)和能力行为要素绩效考评方法应用,构建新型绩效考评模式,在定性和定量分析综合应用的基础上,对企业绩效考核。

基于P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品结构分析

阐述随着电子产品及大数据信息存储应用需求增加,3D Nand Flash产品市场持续增长。介绍一种主流的3D Nand Flash技术架构,并分析应用P-BiCS架构的hynix 3D Nand Flash产品的结构及成分。

提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析

阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。

一种协议转换芯片的功能安全策略分析

阐述一种协议转换芯片功能安全策略的设计,数据帧循环冗余校验,保证了传输数据的可靠性和一致性。芯片集成电源监控器和时钟监控器应用,保证能够达到ASILD的功能安全等级。

一种警戒线报警电路的设计与实现

阐述报警电路的任务需求,用最基础的器件设计一种带有趣味性的实际应用电路,对部分功能电路进行比对分析设计,在教学中弱化验证性的实验模式,强化自主探究式的开放性实验模式。

粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响

功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响。采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行建模与热仿真,精确构建了不同类型空洞的粘结层模型,包括不同空洞率的单个大空洞和离散分布小空洞、不同深度分布的浅层空洞和沿着对角线分布的大空洞。结果表明,单个大空洞对器件结温和热阻升高的影响远大于相同空洞率的离散小空洞;贯穿粘结层的空洞和分布在芯片与粘结层之间的浅空洞会显著引起热阻上升;分布在粘结层边缘的大空洞比中心和其他位置的大空洞对热阻升高贡献更大。

一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器

正向设计了一种适合于听觉神经刺激的可编程双相恒流脉冲发生器，它可根据耳聋患者的要求和不同的语音信号，控制刺激电流脉冲的幅度和宽度，以及脉冲之间的间隙。本文阐述了电路的设计要求和方法，并给出了实验结果。采用标准３μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，在上海贝岭微电子制造有限公司流片。目前已成功地用于多道人工电子耳蜗接收刺激器中。

基于Petri网的分层半导体制造过程调度结构

针对复杂的半导体制造过程调度,在综述现有调度问题及方法的基础上,提出由投料调度、路径调度和两种类型的工件调度共同组成的分层调度结构的思想及方案,继而基于Petri网模型,探讨所提出的分层半导体调度结构基于Petri网模型的实现方法,最后通过仿真对分层调度结构加以应用验证,并总结全文.

半导体生产线建模及其仿真若干关键技术研究——基于Simul8建模仿真软件

为满足半导体生产线建模与仿真在仿真性能、仿真真实性等方面的较高要求,基于Simul8复杂系统仿真软件对半导体硅片制造生产线进行建模和仿真的过程中,提出了非动态加工区和动态加工区的分类的思想,探讨了各自基于Simul8的实现方法,同时分析并有效解决了工序加工时间和运输时间的统计计算问题。仿真应用表明,提出的方法在增强半导体生产线仿真真实性的同时,也有效改进了仿真的性能。

DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制

采用DOE(Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn,Dvt和DP直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V^0.600 V,关系式为Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433;Vtp为0.0535 V^0.6300 V,关系式为V2tp=-0.03077D2vt-0.01688D2P+0.71899。

0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模

对0.5μmSOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数。根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模;利用BSI MproPlus软件中的BSI MSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数。对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负面影响。

HF缓冲溶液处理Si（111）表面的化学稳定性椭偏谱研究

首次采用椭偏光谱仪检测ＨＦ缓冲溶液（ＢＨＦ）处理的Ｓｉ（１１１）表面在空气中的化学稳定性．研究表明：随着Ｓｉ暴露在空气中时间的增长，Ｓｉ的赝介电常数虚部ε２的Ｅ２临界点峰值随之下降，而Ｅ１临界点峰值却随之上升；在ｐＨ＝５．３的ＢＨＦ中腐蚀，再经去离子水漂洗后，可得到较稳定的Ｓｉ（１１１）表面，在空气中一小时之内基本不氧化．