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BiCMOS结构中阱特性的研究
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作者 鲍荣生 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期331-335,共5页
叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应。
关键词 半导体工艺 BICMOS 阱电阻 埋层 LSI/VLSI
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模拟用户接口电路
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作者 任崎 《电子技术(上海)》 北大核心 1992年第2期28-29,39,共3页
本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路... 本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路阻抗合成; 3.将语音信号和12/16kHz计费信号耦合到用户线; 4.实现二/四线转换; 5. 展开更多
关键词 电话交换机 程控交换机 接口电路
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