期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
BiCMOS结构中阱特性的研究
1
作者
鲍荣生
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期331-335,共5页
叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应。
关键词
半导体工艺
BICMOS
阱电阻
埋层
LSI/VLSI
下载PDF
职称材料
模拟用户接口电路
2
作者
任崎
《电子技术(上海)》
北大核心
1992年第2期28-29,39,共3页
本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路...
本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路阻抗合成; 3.将语音信号和12/16kHz计费信号耦合到用户线; 4.实现二/四线转换; 5.
展开更多
关键词
电话交换机
程控交换机
接口电路
原文传递
题名
BiCMOS结构中阱特性的研究
1
作者
鲍荣生
机构
上海贝岭微电子制造公司
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期331-335,共5页
文摘
叙述了以双极型工艺为主体的BiCMOS结构中p阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在p阱下面采用埋层,抑制或消除了BiCMOS中p阱结构的寄生效应。
关键词
半导体工艺
BICMOS
阱电阻
埋层
LSI/VLSI
Keywords
Semiconductor process
BiCMOS
Well resistor
Buried layer
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
模拟用户接口电路
2
作者
任崎
机构
上海贝岭微电子制造公司
出处
《电子技术(上海)》
北大核心
1992年第2期28-29,39,共3页
文摘
本文介绍用于1240数字程控交换机模拟用户模块的专用大规模集成电路(简称MBLIC)。它采用高压(70V)BIMOS工艺,芯片尺寸5.5×5.6(mm),28脚双列直插陶瓷封装,功耗400mW(典型值)。MBLIC主要完成以下功能: 1.向用户线馈电; 2.AC/DC回路阻抗合成; 3.将语音信号和12/16kHz计费信号耦合到用户线; 4.实现二/四线转换; 5.
关键词
电话交换机
程控交换机
接口电路
分类号
TN916.427 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BiCMOS结构中阱特性的研究
鲍荣生
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999
0
下载PDF
职称材料
2
模拟用户接口电路
任崎
《电子技术(上海)》
北大核心
1992
0
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部