离子色谱法测定光刻胶中的氰根离子

建立了离子色谱法测定光刻胶中氰根离子的分析方法。光刻胶样品加入超纯水超声提取后,过固相萃取小柱净化,然后上机。经过阴离子色谱柱分离,电化学检测器检测,保留时间定性,峰面积外标法定量。结果表明:此方法检出限为2.0 ng/g(以1.0 g取样量计算)。在低、中、高浓度的精密度分别为4.7%、2.3%、1.1%。实际样品加标回收率范围为93.7%~104%。该方法操作简单、快速、灵敏度和准确度高,可用于光刻胶中氰根离子的定性与定量测定分析。

含亚氨基抑制剂分子对钴电沉积的影响

金属钴的电阻率较低,是芯片制造先进工艺节点的关键互连材料。电沉积具有自下而上的生长特点,是优异的钴沉积工艺。为达到理想的钴电沉积的效果,必须了解电化学反应机理以及电流密度和抑制剂对该机理的影响。通过恒电流电沉积法,在硫酸钴-硼酸体系中,研究了不同电流密度对电沉积得到的钴薄膜形貌、晶体结构、电阻率等的影响。并且分析了含亚氨基抑制剂分子苯并咪唑(BZI)和2-巯基苯并咪唑(MBI)对钴电化学反应的抑制作用,探究其对钴薄膜形貌、晶粒尺寸和电阻率的影响。结果表明,无抑制剂时,钴晶粒以Co(002)为主;BZI的抑制能力强于MBI;由于BZI的抑制能力过强,无法沉积完整的钴薄膜;抑制剂MBI的加入会增强钴薄膜晶体的(101)晶面的取向。

基于神经网络的硅晶圆表面形貌快速量测方法研究

硅晶圆平坦化抛光后的表面形貌量测可以定量化晶圆平坦度,是品控的关键一环。然而,高平坦度硅晶圆表面检测设备原理复杂,检测位点过万,时间长达1分钟,同时设备体积大,难以集成在抛光机台中对硅片进行原位检测,这限制了生产效率。机器学习技术数据分析和预测能力优异,应用工业生产领域,能够提高生产效率和精度。本研究针对300mm硅片基于集成电路材料基因组平台开发了一种基于神经网络的晶圆形貌预测模型,该模型极大地减少表征晶圆形貌所需要的输入信息,通过14个关键点的厚度信息,便可得到绝对平均误差为4.07nm的预测值,从而仅需10s左右的时间对晶圆形貌进行高精度的预测,降低了量测设备的硬件要求,为晶圆平坦化工艺中的快速量测提供思路。

国内外光刻胶产业分析及发展建议

光刻胶是集成电路光刻工艺中的关键材料,光刻胶产业具有很高的技术壁垒,市场基本被国外企业垄断。近年来,随着集成电路芯片制造产能向中国大陆转移,我国对光刻胶的需求稳步增加,实现进口替代的需求迫切。本文针对光刻胶产业,从全球产业情况、相关产业巨头、产业特点以及国内光刻胶产业面临的问题方面进行综合阐述,最后提供了国内光刻胶产业的发展建议。

三五族器件技术与产业趋势报告

以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功率等条件的新要求,在通信技术、汽车电子领域成为发展前沿。随着5G、新能源汽车、太阳能、节能(快充)技术的迅速发展,三五族化合物市场将持续增长。GaAs、InP和GaN器件技术与产业在射频、光电和功率器件应用方面发展趋势乐观。