SiH_4紫外多光子电离的分质量光谱

本文首次报道SiH_4在紫外区多光子电离的分质量光谱。没有检测到SiH_4^+;SiH-2^+和SiH_3^+是主要产物、SiH^+很少。与同步辐射的实验结果相比,SiH_2^+/SiH_3^+的比例相近,但Si^+明显增强。在358-367nm,各碎片离子光谱有大体一致的形状;在377-393nm,Si^+光谱中有多出来的谱带。分析表明较多Si^+可能来自SiH_n^+的后续解离过程。

SiH_4的共振多光子电离光谱

SiH_4是生产半导体材料的重要原料。近年来对该分子的电子能级、解离和电离的研究逐渐深入,成为一个非常活跃的研究课题。SiH_4在可见与近紫外区是透明的,只有用真空紫外光才能研究它的吸收光谱。Y.Harada等首次得到了它的很粗的吸收谱。