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P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用 被引量:3
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作者 蔡宏琨 陶科 +3 位作者 胡居涛 靳果 谢轲 张德贤 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2013年第5期621-625,共5页
本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/Zn... 本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率. 展开更多
关键词 P型微晶硅碳 B(CH3)3(TMB) 柔性衬底 非晶硅 太阳电池
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