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SOI纳米线波导导光机理的物理分析 被引量：1
1
作者 李运涛 徐学俊 +2 位作者 黄庆忠 俞育德 余金中 《物理》 CAS 北大核心 2012年第2期107-109,共3页
SOI(silicon-on-insulator)纳米线波导及其器件是近年来光电子学领域研究的重点内容之一.文章从基本的导波光学理论出发,引入古斯-汉森位移理论,对SOI纳米线波导导光的物理机制进行了分析并给出了物理解释和模拟结果.
关键词 绝缘体上的硅 纳米线波导 古斯-汉森位移
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