La修饰二维Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene的NO_(2)传感特性研究

过渡金属碳氮化物Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene具有较大的表面积、良好的导电性和丰富的表面官能团,是制作传感器的理想材料。但是纯官能团修饰的碳化钛(Ti_(3)C_(2)T_(x))响应时间不理想、稳定性差制约了其应用。采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了La修饰二维Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene的NO_(2)传感特性,结果表明La修饰Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene的吸附能较未修饰前降低了20%~30%,同时吸附距离缩短,更容易转移电荷。La修饰Ti_(3)C_(2)T_(x)MXene的有效质量减小,有利于电荷转移。La修饰Ti_(3)C_(2)T_(x)的灵敏度比未修饰的灵敏度高10%~20%且衰减趋势减缓;修饰后响应和恢复时间分别缩短了10%和7%。

Si晶体中Cu和Fe杂质在Frank型位错上的不同沉淀行为

本文运用电子束感应电流技术和透射电子显微镜研究了直拉Ｓｉ单晶中Ｃｕ和Ｆｅ杂质在Ｆｒａｎｋ型位错上的沉淀行为．发现尽管在Ｓｉ中Ｃｕ杂质浓度远高于Ｆｅ杂质，但Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上，而Ｆｅ杂质会沾污Ｆｒａｎｋ型位错．研究结果表明，样品中微小Ｐｕｎｃｈｅｄ－ｏｕｔ位错的存在和Ｃｕ杂质在Ｓｉ中的重复成核机制是Ｃｕ杂质不沉淀在Ｆｒａｎｋ型位错上的主要原因．