微电子机械系统(MEMS)发展研究

叙述了世界 MEMS产业和市场情况 ,介绍了当前 MEMS的设计、制造、封装和测试技术 ,最后浅析了 MEMS产品的商品化进展。

移动电子商务的发展与支持技术研究

从几个方面对移动电子商务中涉及的热点问题进行了论述。文章首先研究了移动电子商务的底层——无线网络 ,介绍了蓝牙技术、通用分组无线业务和移动 IP技术 ;然后 ,阐明了无线应用协议 WAP的原理和体系结构 ,以及移动设备的安全技术和移动电子商务的应用领域 ;最后讨论了移动电子商务的发展前景。

扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究

针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。

电子政务安全系统评估方法的研究

本文通过对电子政务系统特性的研究 ,将其安全的评估难点划分为系统不确定性和时间不确定性。提出从空间和时间两个角度入手 ,解决电子政务系统安全评估的系统不确定性和时间不确定性。通过借鉴参考相关学科领域的技术方法 ,提出新的电子政务安全评估体系模型。

SOI自对准硅化钛工艺研究

阐述了SOI硅化钛的相关问题,采用两步快速热退火工艺形成低电阻的TiSi2,通过实验得出2次快速热退火的最佳时间和温度,形成良好的SOI自对准硅化钛工艺.

传感器接口标准中NACK响应协议研究

网络化智能传感器接口标准IEEE1451.2通过定义软件上TEDS(transducer electronic data sheet:传感器电子数据表格)和硬件上的TII(transducer independent interface:传感器独立接口)使传感器的即插即用成为可能。TII接口的NACK响应协议是接口控制和数据传输功能实现的基础,是实现基于IEEE1451.2的传感器智能接入模块(STIM,smart transducer interface module)的关键部分。设计分析了NACK响应的各种情况,并加以实现,经仿真验证,达到标准要求。

高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究

本文主要介绍采用磁控溅射制备Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的N i-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果。

微电子技术的发展趋势与展望

本文叙述了世界微电子技术和集成电路的芯片工艺、设计及封装技术 ,对今后可能出现或将成为主流产品的微电子器件作了分析与展望。

CMOS SRAM抗辐照加固电路设计技术研究

本文介绍了CMOS SRAM抗辐照加固电路的逻辑电路和版图加固设计技术。

采用平行缝焊机封盖的工艺研究

本文主要介绍利用平行缝焊机封盖的工艺;并对调试过程中出现的盖板对位不准和漏气问题进行了分析和研究。

Hamming Code信息校验方法研究

对 Hamming Code信息校验的组成规则、校验方法及校验条件做了探讨与研究 。

半导体电力电子器件发展概况及国内发展展望

叙述了国内外半导体电力电子器件的现状 。

用于CMOS集成电路的IDDQ测试技术研究

主要介绍了 CMOS电路的 IDDQ测试技术。该技术的实现方法有两种 :一种是片内 IDDQ测试 ;另一种是片外 IDDQ测试。前一种是在被测芯片内 ,设计一个电流传感器。后者是在被测芯片外的负载板上附加一个小电路 ,变 IDDQ为电压测试 。

信息时代最重要的基石——微电子

分析了国际国内微电子行业市场情况 ,着重阐述了微电子行业在信息时代的重要作用。最后 。

54HCT244高速CMOS电路交流特性辐照退化研究

本文研究了国产高速CMOS电路54HCT244八缓冲器/线驱动器在60Co辐照下,交流特性退化与总剂量、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明,在低剂量率辐照下,延迟时间TPHL退化比高剂量率辐照下严重,且对加固电路,这一交流特性退化的剂量率效应更为明显。辐照偏置对延迟时间退化具有强烈的影响,4.5V和0V二种偏置状态将分别导致电路的TPLH和TPHL产生较早而明显地退化。

MOS集成电路ESD保护技术研究

重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路

微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术研究

对微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术，包括原始硅材料、设计规则、典型器件结构、典型工艺流程和关键工艺技术等，作出全面地概括地分析与研究。

用于LSI的双层布线工艺研究

本文在实验的基础上,叙述了LSI 中的几种双层布线工艺方法,将这几种方法进行了分析比较,并从中得出结论:Si_3N_4—SiO_2方法以及 PI 方法是现行 LSI 中较为适用的双布线技术。