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题名用于传感器、执行器及微结构制备中的硅熔键合
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作者
PHILIPW.BARTH
黄如
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机构
东南大学电子学研究所微电子中心
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出处
《电子器件》
CAS
1991年第3期50-58,共9页
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文摘
硅熔键合(SFB)是指不用中间粘合剂而将两硅片直接连结起来.该技术已应用于制备SOI衬底及硅功率器件,并也在硅传感器、执行器及其他微结构制备中得到广泛应用.本文回顾了SFB工艺技术的发展及目前的状况,阐述了以本世纪六十年代初期至今该技术的历史发展过程,讨论了将SFB技术与硅微机械加工相结合所必要的工艺技术,介绍了一些成功的SFB结构.同时比较了这些工艺技术,讨论了SFB结构的未来发展趋势.
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关键词
传感器
执行器
硅熔键合
工艺
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名硅的等离子体深腐蚀
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作者
C.D.Fung
T.R.Linkowsk
袁璟
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机构
东南大学电子学研究所微电子中心
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出处
《电子器件》
CAS
1991年第1期60-62,共3页
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文摘
湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.
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关键词
硅
等离子体腐蚀
VLSI
敏感器件
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分类号
TN405.982
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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