期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究
1
作者
秦娜娜
屠彦
杨兰兰
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期253-257,共5页
利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电...
利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响。分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大。只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26%,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定了GEM中的电子透过率。
展开更多
关键词
气体电子倍增器
电场分布
有限元法
双碗型
电子轨迹
电子透过率
下载PDF
职称材料
题名
GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究
1
作者
秦娜娜
屠彦
杨兰兰
机构
东南大学电子科学与技术学院显示技术研究中心
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2012年第3期253-257,共5页
基金
国家自然科学基金项目(60871015
50907009)
国家863计划项目(2008AA03A308)
文摘
利用有限元法模拟了三维双碗型GEM电场和电子轨迹,计算了不同几何尺寸(包括小孔外径D、内径d、厚度T)和电参数(GEM上下电极电压差Vgem、漂移电场场强Ed、收集电场场强Ei)下的静电场和电子轨迹,研究不同几何结构和电参数对电场分布和电子透过率的影响。分析表明,D、T、Vgem对场强分布的影响比较大,d、Ed、Ei对GEM微孔内的电场影响不大。只有D、d、Ed、Vgem会对电子透过率产生影响,其余参数改变下的电子透过率与文中基准模型的一样,为35.26%,结果表明几何光学的透过率和微孔附近的电场共同决定了GEM中的电子透过率。
关键词
气体电子倍增器
电场分布
有限元法
双碗型
电子轨迹
电子透过率
Keywords
gas electron multiplier
electrostatic field
finite element method
double bowl structure
electrontrajectories
electron transparency
分类号
TL811 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GEM电场和电子轨迹的三维模拟研究
秦娜娜
屠彦
杨兰兰
《电子器件》
CAS
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部