导电硅胶屏蔽效能长期可靠性试验研究

为了缩短试验时间、量化不同环境条件下导电硅胶屏蔽效能随时间的变化趋势,采用加速老化试验方法,对导电硅胶进行高温高湿强化环境试验,获得导电硅胶屏蔽效能下降趋势,进而预测在不同自然环境中更长时间轴上导电硅胶的屏蔽效能。结果表明,1 000小时的加速试验等效约15.53年,导电硅胶的屏蔽效能下降约20 dB。

屏蔽盖腔间屏蔽效能的影响因素

提出了一种针对扁平屏蔽腔的屏蔽效能测试方法,并研究了腔间开孔大小、螺钉间距和点胶与否三个因素对屏蔽效能的影响。结果表明:屏蔽盖腔间开孔是导致屏蔽效能下降的最大因素;随着螺钉间距加密屏蔽效能显著提升;要获得大于70 d B的腔间屏蔽效能,推荐采用隔筋点胶。