浅谈“氧化镓材料”在半导体行业发展中的重要性

氧化镓作为第四代半导体材料的代表,相较于碳化硅和氮化镓,氧化镓基功率器件具有高耐压、低损耗、高效率和小尺寸等突出优势;又因其有着超宽禁带的特性,能承受更高的电压和临界电场,在超高功率元器件半导体材料中极具应用潜力;氧化镓在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件等领域具有广阔的应用前景,未来有望成为支撑多个领域快速发展的新一代半导体材料。本文对它的属性、国内外发展情况、应用领域、性能优势及未来发展趋势进行阐述在半导体行业发展中的重要性。

高纯锡中频挥发工艺中的保温罩材质对提纯效果的影响

通过对高纯锡中频挥发工艺中的石墨、石英和刚玉三种材质的保温罩对提纯效果的研究。研究表明,刚玉材质的保温罩对高纯锡中杂质的提纯效果最佳,经济性好,安全性好。采用此种材质的保温罩提纯后的锡中S、Mg、Zn、As、Cd、Pb、Sb、Bi、In等杂质元素能降低至最低值,为高纯锡后续工艺制备纯度为99.99999%以上的超纯锡提供保障。

GB/T 10117《高纯锑》标准解读

高纯锑主要用在半导体工业上,它是制备化合物半导体晶体和外延片的关键基础材料,可以形成锑化铟、锑化镓、锑化铝等化合物半导体,也可以作为半导体硅、锗等的掺杂剂,本文主要介绍了GB/T 10117新旧版本的主要变动内容及原因。

GB/T 10117《高纯锑》标准解读

高纯锑主要用在半导体工业上,它是制备化合物半导体晶体和外延片的关键基础材料,可以形成锑化铟、锑化镓、锑化铝等化合物半导体,也可以作为半导体硅、锗等的掺杂剂,本文主要介绍了GB/T 10117新旧版本的主要变动内容及原因。

降低三氯化锑中杂质As含量的工艺研究

通过对三氯化锑精馏过程中的精馏温度、盐酸加入量、去头量、分馏速度等工艺研究和参数的合理控制,可以有效地降低杂质砷的含量,三氯化锑还原所制备的高纯锑中的砷含量可控制在0.05×10^(-6)以下,质量优于6N高纯锑国家标准中对砷含量的要求。