0.5微米精细CMOS工艺

近年来,开发VLSI用CMOS工艺技术,显得极为重要。这主要是因为CMOS电路具有功耗低,噪声容限大和电路设计比较容易等优点。另一方面,从电路高速化的观点看,CMOS晶体管正在向微细化发展,0.5微米微细栅长试制工作也在积极进行。这是为了在充分发挥上述CMOS特殊性质的基础上,通过微细化来提高驱动能力、降低负载栅电容。其目的之一,是为获得与双极型和GaAs同样的高速度。