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BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性
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作者 李标荣 朱小荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第2期5-9,共5页
BaTiO3半导瓷在电功率作用下的PTC特性最好用电阻率-电场强度(ρ-E)特性曲线表示。ρ-E特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ-E特性也不同,ρ-E特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能... BaTiO3半导瓷在电功率作用下的PTC特性最好用电阻率-电场强度(ρ-E)特性曲线表示。ρ-E特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ-E特性也不同,ρ-E特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能力。散热条件良好,可产生更大的电热功率。 展开更多
关键词 正温度系数 钛酸钡半导瓷 功率击穿
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