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磁流变抛光驻留时间算法 被引量:6
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作者 孙希威 韩强 +1 位作者 于大泳 刘胜 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期114-119,共6页
针对磁流变抛光去除量与驻留时间呈线性关系特点,本文以Preston方程为依据,根据磁流变抛光专用机床的运动形式,提出了基于矩阵的磁流变抛光驻留时间算法,该算法通过调整各点驻留时间控制光学器件表面的去除量,达到面形误差修正的目的,... 针对磁流变抛光去除量与驻留时间呈线性关系特点,本文以Preston方程为依据,根据磁流变抛光专用机床的运动形式,提出了基于矩阵的磁流变抛光驻留时间算法,该算法通过调整各点驻留时间控制光学器件表面的去除量,达到面形误差修正的目的,适用于非球面等可用通用光学方程表示的回转对称曲面。仿真实验结果表明,采用该算法仿真加工可以使球形表面面形误差收敛至十几个纳米。通过对K9光学玻璃球面进行的磁流变抛光实验,获得了表面粗糙度Ra0.636nm的球形表面,面形精度P-V值由抛光前的158.219nm减小到52.14nm,验证了驻留时间算法的合理性。 展开更多
关键词 驻留时间 磁流变抛光 面形误差 矩阵
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