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Cr_(2)O_(3)-Y_(2)O_(3)-MgO三元烧结助剂对99氧化铝陶瓷微波介电及绝缘性能的影响
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作者 白云飞 陈德庆 +3 位作者 李光 吴镇宏 银锐明 李鹏飞 《硬质合金》 CAS 2024年第4期297-302,309,共7页
采用常压烧结,在1480、1500、1530、1550℃下制备了Cr_(2)O_(3)-Y_(2)O_(3)-Mg O共掺的99氧化铝陶瓷,研究了不同含量的Cr_(2)O_(3)掺杂对99氧化铝陶瓷的致密化、微观结构、微波介电性能和绝缘性能的影响。结果发现:适量的Cr_(2)O_(3)、Y... 采用常压烧结,在1480、1500、1530、1550℃下制备了Cr_(2)O_(3)-Y_(2)O_(3)-Mg O共掺的99氧化铝陶瓷,研究了不同含量的Cr_(2)O_(3)掺杂对99氧化铝陶瓷的致密化、微观结构、微波介电性能和绝缘性能的影响。结果发现:适量的Cr_(2)O_(3)、Y_(2)O_(3)和MgO会促进烧结,减少晶粒间的空隙,提升致密度,进而提升各项性能。当w(Cr_(2)O_(3))=0.4%、w(Y_(2)O_(3))=0.24%、w(MgO)=0.16%,烧结温度为1530℃时,密度为3.919 cm^(3)、介电常数εr为9.985、介电损耗tanδ值为0.0005、击穿电压为25.3 kV。Cr_(2)O_(3)掺杂使得99氧化铝陶瓷微波介电和绝缘性能提升,在电子封装材料中有良好的应用前景。 展开更多
关键词 氧化铝 三氧化二铬 微波介电性能 绝缘性能
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氧化铝对无压烧结氮氧化硅微观组织的影响
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作者 李龙涛 陈德庆 +4 位作者 李光 银锐明 肖毅成 高震 吴镇宏 《材料科学》 2024年第9期1292-1298,共7页
首先以单质硅和二氧化硅在氮气氛围下,采用流延法制备出质量分数ω ≥ 90%的氮氧化硅,通过凝胶注模方式制备生胚,分别于50℃、80℃、120℃、160℃四个阶段进行脱水和初步脱脂,最终在1450℃氮气氛围常压烧结下进行氮氧化硅烧结实验,研究... 首先以单质硅和二氧化硅在氮气氛围下,采用流延法制备出质量分数ω ≥ 90%的氮氧化硅,通过凝胶注模方式制备生胚,分别于50℃、80℃、120℃、160℃四个阶段进行脱水和初步脱脂,最终在1450℃氮气氛围常压烧结下进行氮氧化硅烧结实验,研究不同含量下的氧化铝(0wt.%, 10 wt.%, 15 wt.%, 20 wt.%)烧结助剂对氮氧化硅陶瓷微观形貌和相组成的影响,后续选出两组氧化铝最优添加量进行温度梯度(1350℃~1480℃)烧结。结果表明氧化铝的最佳添加量为15 wt.%时,对氮氧化硅陶瓷性能提升最为明显,最佳烧结温度在1450℃,能避免氮氧化硅分解的同时,最大限度提升其各项性能。Initially, silicon nitride ceramics with a mass fraction of ω ≥ 90% were prepared by the slip casting method using elemental silicon and silica under a nitrogen atmosphere. Green bodies were formed using gel-casting, followed by dehydration and preliminary degreasing at four stages: 50˚C, 80˚C, 120˚C, and 160˚C. The final sintering experiments were conducted under atmospheric pressure in a nitrogen atmosphere at 1450˚C. The effects of various alumina sintering aids (0 wt.%, 10 wt.%, 15 wt.%, 20 wt.%) on the microstructure and phase composition of the silicon nitride ceramics were studied. Subsequently, two optimal alumina additive amounts were selected for temperature gradient sintering from 1350˚C to 1480˚C. The results indicated that the most significant improvement in the properties of silicon nitride ceramics was achieved with 15 wt.% alumina, with the optimal sintering temperature being 1450˚C, which avoided the decomposition of silicon nitride while maximally enhancing its properties. 展开更多
关键词 Si2N2O Al2O3 Si3N4 凝胶注模
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