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超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长
被引量:
1
1
作者
孙国胜
张新和
+1 位作者
韩景瑞
刘丹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2017年第8期30-33,共4页
介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用C...
介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用Candela CS920表征了100μm厚p型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷,典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷,3种结构缺陷分别是基晶面位错(BPD)、三角形肖克利型层错(SSF)和条形层错(BSF)。微波光电导衰退法(μ-PCD)测试表明,100μm厚p型4H-SiC外延层载流子寿命为2.29μs,采用二次离子质谱(SIMS)测试方法分析了不同铝(Al)掺杂浓度的深度分布,最高Al掺杂浓度为2×10^(19)cm^(-3)。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
碳化硅
化学气相沉积
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职称材料
题名
超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长
被引量:
1
1
作者
孙国胜
张新和
韩景瑞
刘丹
机构
东莞市天域半导体科技有限公司
中国科学院
半导体
研究所
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2017年第8期30-33,共4页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0400402
2016YFB-0400901)~~
文摘
介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用"热壁"CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n^+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双极型晶体管(p-IGBT)器件用p^-n^+结构材料生长,利用Candela CS920表征了100μm厚p型4H-SiC外延层表面缺陷及结构缺陷,典型表面缺陷为三角形缺陷和胡萝卜缺陷,3种结构缺陷分别是基晶面位错(BPD)、三角形肖克利型层错(SSF)和条形层错(BSF)。微波光电导衰退法(μ-PCD)测试表明,100μm厚p型4H-SiC外延层载流子寿命为2.29μs,采用二次离子质谱(SIMS)测试方法分析了不同铝(Al)掺杂浓度的深度分布,最高Al掺杂浓度为2×10^(19)cm^(-3)。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
碳化硅
化学气相沉积
Keywords
insulated gate bipolar transistor
silicon carbide
chemical vapor deposition
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超高压4H-SiC p-IGBT器件材料CVD外延生长
孙国胜
张新和
韩景瑞
刘丹
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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