不同光刻胶作保护层对a-IGZO TFT性能的影响

采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现:采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变;但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加。实验还发现:使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中放置一段时间后表现最稳定。

不同溅射气体对a-IGZO TFT特性的影响

采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。

光阳极的前后处理对DSSC性能的影响

为抑制染料敏化太阳能电池(DSSC)光生电子的背反应,分别利用钛酸四丁酯(TBT)和TiCl4制备了两种TiO2溶胶对DSSC光阳极导电玻璃进行前处理,另外,以TBT制备的TiO2溶胶对光阳极TiO2薄膜进行了后处理。在AM1.5和暗环境下分别考察了前后处理对DSSC性能的影响。结果表明,光阳极的前后处理均有效提高了DSSC的光电转换效率,其中以采用TBT制备的TiO2溶胶进行前处理时的效果最佳;DSSC的光电转换效率随后处理次数的增加而增大;后处理3次时,DSSC的光电转换效率达到5.98%。