基于TCN-BiLSTM-AM的居民住宅短期电力负荷预测

针对当前住宅短期电力负荷预测模型存在预测精度低和特征提取困难等问题,提出一种基于TCN-BiLSTMAM的住宅电力负荷预测模型。该模型主要由TCN模型和引入注意力机制层改进的BiLSTM模型组成。首先,通过在历史数据中使用负荷曲线技术计算特征变量的输入权重,以提高数据输入的准确度和关联性;然后,采用权重匹配的方法将数据序列化输入到TCN模型进行采样训练,提取更多不同时间尺度的特征并加快训练速度,同时,构建改进的BiLSTM模型,引入AM层以提高BiLSTM网络结构的运算速度和处理长序列数据的能力,从而提高模型的泛化能力和运算速度;接着,通过对训练好的TCN模型和改进的BiLSTM模型进行加权输出初始预测值,并利用遗传算法对预测值与真实值的偏差进行偏置寻优,得到优化权重并输出最终预测结果。最后,在同一公开数据集上与RNN、LSTM、BiLSTM和TCN等模型进行对比验证,结果表明,相比较其中较好的模型,文中提出的TCN-BiLSTM-AM模型在MAE和RMSE上分别降低了40.43%和35.59%,同时R2指标为0.9957,具有更高的预测精度和更好的稳定性。

MOS管X射线照射损伤的恢复研究

在通讯设备制造行业中,X射线作为一种无损检测技术有着广泛的应用,相关从业者可通过X射线检测来判别电子元器件中是否存在裂纹、空洞、异物、内部位移和焊接桥联等内部缺陷。但是在实际生产测试中发现,X射线照射也会对半导体器件的性能产生一定的负面影响。研究了X射线照射对MOS管的照射损伤,并探究了不同温度下退火对X射线照射损伤的恢复程度。模拟了严苛条件下的X射线照射过程,用110 kV、60μA的X射线对MOS管进行长时间的照射,测试其在照射前后阈值电压的数值变化;在25~220℃下对其进行退火实验并测试退火后其阈值电压的数值变化,证明了200℃及以上是有效的退火温度,并对实验结果进行初步的分析讨论。

X射线照射对半导体分立器件的影响分析

X射线照射作为一种常见的无损检测手段,在通讯设备制造行业中有着广泛的应用,并给相关从业人员在判别电子元器件常见的裂纹、空洞、异物、内部位移和焊接桥联等内部缺陷时提供了简单、快速而又高效的帮助。但是,X射线在检测产品的过程中,同样会对半导体器件的性能产生一定的影响。因此,对X射线照射对贴片式红绿发光二极管、NPN三极管和N沟道功率MOS管3种分立器件的影响进行了分析。模拟常规的X射线检测过程,用80~110 kV、40~60μA的X射线对二极管、三极管和MOS管进行了照射,测试了3种产品在照射前后关键电参数的数值变化,并对给出的实验结果进行初步的分析讨论。结果表明:X射线照射不会对二极管和三级管产生影响,但会对MOS管产生负面影响。最后,结合实验数据,给出了X射线照射参数设置的建议,具有一定的参考价值。

关于超大面积水磨石空鼓原因分析验证及防控

结合工程实际及工程施工特点,介绍超大面积水磨石施工工艺、质量缺陷原因以及试验论证过程,并结合现场施工经验,通过试验结果数据分析,确定水磨石施工质量控制的关键因素,形成质量防控要点,以此来减少或避免空鼓现象的发生,为工程顺利推进起到了关键作用,并为类似工程建设提供借鉴。