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共振隧穿二极管的压阻特性测试与研究 被引量:5
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作者 毛海央 熊继军 +3 位作者 张文栋 薛晨阳 桑胜波 鲍爱达 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1789-1793,共5页
设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地定量表达其压阻特性,研究了同一RTD结构I-V特性的一致... 设计并搭建了检测共振隧穿二极管(RTD)压阻特性的实验系统,测试了RTD结构在不同应力状态下I-V特性曲线的漂移.实验结果表明RTD结构压阻特性的灵敏度大于1×10-8Pa-1.为了更精确地定量表达其压阻特性,研究了同一RTD结构I-V特性的一致性,得到相同环境条件下RTD电阻的最大相对漂移量小于3%,其中1%由测试仪器造成. 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 压阻特性 一致性 灵敏度 喇曼光谱
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共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究 被引量:2
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作者 毛海央 张文栋 +1 位作者 熊继军 薛晨阳 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期1189-1191,共3页
共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同... 共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性。为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要。文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性。实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3%。随后测试仪器的测量误差,发现其中1%的相对漂移量由测试仪器造成。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 Ⅰ-Ⅴ特性 一致性 压阻特性
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利用新设计磨具对铌酸锂晶片的减薄及减薄后的测试 被引量:3
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作者 杜文龙 梁庭 +2 位作者 薛晨阳 唐建军 叶挺 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期934-937,共4页
铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注。将晶片与硅衬底在200°C和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1∶1的比例制成。本文讨论了... 铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注。将晶片与硅衬底在200°C和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1∶1的比例制成。本文讨论了铌酸锂键合的过程,减薄的过程及厚度测试,通过拉曼光谱分析残余应力,通过原子力显微镜测试样品表面粗糙度。研究结果表明,通过自行设计的磨具研磨的晶片厚度最大差值7微米,较为均匀;研磨后晶片表面粗糙度为118纳米,较为粗糙;键合后存在一定的残余应力。制作好的铌酸锂晶片符合制作红外传感器敏感头的要求。 展开更多
关键词 铌酸锂 研磨 晶片 拉曼 原子力
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基于共振隧穿二极管的应力检测方法 被引量:1
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作者 熊继军 毛海央 +1 位作者 张文栋 薛晨阳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期324-328,共5页
共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提... 共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着应力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RTD的应力检测方法.在讨论频率-应力检测法的基础上提出了一种新颖的应力检测方法——惠斯通RTD电桥检测法.测试结果表明,基于惠斯通RTD电桥检测法得到的压阻灵敏度随偏置电压可调,可调范围达到三个数量级. 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 应力检测 振荡频率 I-V特性 压阻灵敏度
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