基于Windows软件系统集成的应用程序调控技术研究

介绍了在Ｗｉｎｄｏｗｓ环境下调用和控制应用程序的技术方法及基于Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ的程序实现．

灰色点关联系数与点关联度的注记

对常用的关联系数、关联度,本文指出:1.整体性公理并非关联度的本质属性,应予修正;2.关联系数的计算公式,仅仅对数据的整体平移生成及整体相似生成才是相容的。我们在文中提出了修正后的关联度公理系统;给出了修正的关联系数计算公式;给出了该公式的计算实例。

准一维无序系统的电子结构

利用负本征值理论的态密度计算方法，研究了准一维双链无序系统的电子结构。并针对系统大小，对角和非对角无序程度等各种参数，探讨了电子的局域化、系统能量分布范围等问题。在引进无序参量后，对角无序主要引起电子局域态的增多，而非对角无序则使系统的能量分布范围发生变化。

浅谈矿山遥控遥监系统

本文介绍了一种国外流行的遥控遥监系统的基本结构,以期对我国矿山管理现代化和计算机应用工作有一个促进作用。

物理实验教材中有关误差问题的商榷

误差理论在物理实验教材中有着重要的地位。每次做实验都要处理数据,计算误差。在实验教材中,举些误差计算的实例和结论,不但进一步阐述了误差理论,而且,在应用理论方面对学生起到示范作用。当然,例子应力求正确无误。但笔者最近看到有些教材,对实例的介绍,疏忽大意,出现与阐述的理论相违背的情况,现提出来供讨论。

含氮CZ硅力学行为研究

用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。

硅片的抗弯强度及其测量

研究了硅片抗弯强度，提出了一种圆片冲击定量测定硅片抗弯强度的方法，讨论了其准确度及精度并通过实验进行了偏离小挠度的校准．

用VB开发函数作图软件

讨论了用ＶＢ对数据文件作标准函数曲线图的方法，实现了在图形任意位置精确添加文字，并提供了示例程序．

圆片冲击法测定硅片抗弯强度的研究

提出了一种新的使用圆片试样及冲击加载的硅片抗弯强度测试方法，结合动能定理和薄板小挠度理论推导了抗弯强度的计算公式，测试结果准确，精度好。

一种q变形叠加态光场的量子统计特性

构造了一种由 q变形相干态与 q变形真空态叠加而成的态 ,研究了它的光子统计分布特性和振幅平方压缩效应 ,借助数值计算方法讨论了叠加系数、变形参数对这些非经典特性的影响 .

有限维谐振子奇相干态振幅平方压缩特性的数值研究

运用数值计算方法研究了有限维希尔伯特（Ｈｉｌｂｅｒｔ）空间谐振子奇相干态的振幅平方压缩特性．研究表明，在有限维情景，奇相干态存在振幅平方压缩效应，并展现了与通常无限维奇相干态截然不同的振幅平方压缩特性；而当维数足够大时，与通常奇相干态的结果趋于一致．

硅中氮的电学行为的研究

用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧复合物施主；氮氧复合物及其施主呈现可逆性；ＮＣＺＳｉ的电阻率稳定化处理温度初步可选为９００℃．

有限维希尔伯特空间奇偶相干态压缩特性的数值研究

运用数值计算方法研究了有限维希尔伯特空间谐振子奇偶相干态的压缩特性 .研究表明 ,有限维空间奇偶相干态展现了与通常奇偶相干态截然不同的压缩性质 ,奇相干态不存在二阶压缩但存在振幅平方压缩 ;偶相干态不仅存在压缩而且存在振幅平方压缩 .通常的奇偶相干态是上述奇偶相干态的特例 .

一维Anderson无序模型电子局域态

本文应用一种新方法,得到了包括次近邻相互作用,且无序点阵从五百到一万的一维安德逊无序模型电子本征态。结果表明此模型的本征态随着无序点阵的增加均从扩展态变为局域态,且变化的快慢受系统无序度的影响。

关于有限维空间谐振子偶相干态的非经典特性

该文运用数值计算方法研究了有限维希尔伯特空间谐振子偶相干态的非经典特性．研究表明．在有限维情景，偶相干态不仅出现振幅正交分量压缩．而且出现振幅平方压缩和反聚束效应．随着维数ｓ减少，出现两种压缩的区域均缩小且压缩强度减弱；而出现反聚束效应的区域却变大且反聚束程度加强．

一类q-变形叠加态光场的振幅平方压缩

构造了一种由ｑ变形相干态与ｑ变形真空态叠加而成的态，研究了它的振幅平方压缩性质，借助数值计算方法讨论了叠加系数、变形参数对振幅平方压缩特性的影响．

钠蒸气中基于钠原子的三种电离机制的研究

本文探寻到钠原子５Ｓ态的双光子共振三光子电离通道，进行了如下实验，在钠原子分子系统中，通过两种方激发式：双光子共振激发（ 图１ 中ａ 通道所示）和混合共振激发（图１ 中ｂ 通道所示），将钠原子激发到５Ｓ态，再吸收一个同样频率的光子而电离。进行电离信号检测，发现第一种激发方式有一个电离峰，对应３Ｓ－ ５Ｓ双光子共振激发电离；第二种方式有两个电离峰，对应３Ｐ－ ５Ｓ双光子共振激发电离。这对基于钠原子５Ｓ态电离，提供了新的电离通道，即基于钠原子５Ｓ态的电离机制有两种，双光子共振三光子电离和双光子混合共振三光子电离。同时检测了基于钠原子３Ｐ态的碰撞电离（ 图１ 中ｃ 通道所示），并对它的电离机制进行了分析。

硅中的氮氧复合物和碳氧复合物

前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.

测量金属导线磁滞损耗的简易装置

测量金属导线磁滞损耗的简易装置曹建，徐慧（中南工业大学应用物理系，长沙４１００８３）金属材料在交流磁场中会产生涡流损耗，磁性材料还会产生磁滞损耗．组建一套实验装置来测量这些损耗，会加深学生对有关的理论知识的理解．我们结合科研工作的需要，设计并安装了一...