GaN技术发展新趋势

氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN技术,在电信和国防两大主要应用增长行业,尤其是军用领域对先进雷达和通信系统不断增加的需求,推动了RF GaN器件向更高频率、更大功率和更高可靠性发展。文章梳理了在该领域中GaN RF/微波HEMT、毫米波晶体管和单片微波集成电路(MMIC)、GaN器件空间应用可靠性和抗辐射加固等技术发展的脉络。在功率电子方面,对高效、绿色和智能化能源的需求拉动GaN功率电子、电源变换器向快速充电、高效和小型化方向发展。简述了应用于纯电动与混合动力电动汽车(EV/HEV)、工业制造、电信基础设施等场合的GaN功率器件的研发进展和商用情况。在数字计算特别是量子计算前沿,GaN是具有应用前景的技术之一。介绍了GaN计算和低温电子技术研究的几个亮点。总而言之,对GaN技术发展几大领域发展的最新趋势作了概括性描述,勾画出技术发展的粗略线条。

电子测量仪器行业发展综述

从行业地位、技术门槛、投入产出等角度梳理了电子测量仪器的特点,分析提出了我国电子测量仪器行业在技术攻关能力、人才队伍、市场开发等方面存在的问题,探讨了仪器软件化和智能化等技术热点和未来发展方向,可以为电子测量仪器行业的发展提供参考。

Nb:SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究

开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(V_(G)=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。

企业行政管理工作的“角色”与效率提高

在企业的发展过程中,行政管理工作是重要的组成部分,它能够充分发挥自身的管理作用,保障企业能够顺利开展生产经营活动,并有效提升整体管理水平。在激烈的市场竞争中,高效的行政管理工作能够促进企业长远的发展,因此必须采取相应措施提高行政管理的效率。基于此,本文阐述企业行政管理的特点,并从管理机制、管理部门和管理模式三个方面分析具体问题,最后提出相应的解决措施,以期为该领域的后续研究提供参考。

国外航天元器件标准体系的建设简述

航天元器件是航天产品的基本单元,其选用与管理关系到航天产品研制与使用的多个方面。国外元器件标准体系已经建设多年,美国、欧洲、日本等发达国家和经济体得益于成熟的标准体系带动和规范了航天元器件的管理。文章梳理分析美国、欧洲、日本的航天元器件标准体系建设情况,总结凝练相关经验做法,并结合我国航天领域面临的机遇与挑战,提出加强我国航天领域标准体系建设的几点建议。

机械装备再制造可靠性研究现状及展望

机械装备再制造产业在我国具有重要地位,其能够对社会发展及生产力等方面产生直接影响。对机械装备再制造可靠性研究现状及展望进行分析,以期可以为机械装备再制造产业实现可持续发展奠定良好基础。