基于广义逆矩阵的BRDF模型参数拟合方法

为了提高二向性反射率分布函数(BRDF)模型参数拟合的效率,充分了解地物目标的光谱方向特性,提出了一种基于广义逆矩阵的BRDF模型参数拟合方法。首先分析了地物光谱反射的方向特性,然后使用成像光谱仪测量不同方向条件下目标的光谱反射率,将实验条件与先验测量数据代入BRDF模型中,建立广义逆矩阵等式并拟合出测量目标的模型参数;利用拟合的目标BRDF模型参数反推任意特定方向条件下的光谱反射率,并与实测数据作对比,采用光谱角制图法度量其相似度。结果表明,草地和迷彩雨衣的拟合光谱曲线与实测光谱曲线的相似度很高,分别达到了0.1307和0.0896,证实了该参数拟合方法的有效性,同时也验证了BRDF模型的泛化拟合能力。该方法原理简单、快速有效,可为其它类型的BRDF模型参数拟合与后续地物目标光谱特性研究提供参考。

蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。

GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm^2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm^2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.

蝶形天线增强的共振隧穿二极管太赫兹探测器研究

采用分子束外延技术制备了基于共振隧穿二极管的探测器样品。为提高探测响应度,探测器采用蝶形天线增强太赫兹电场强度,并以0.2THz入射频率为参考对天线结构进行设计。测试采用输出功率为20 mW的太赫兹源,室温下在有无太赫兹波辐照时分别进行电流-电压(I-V)测试,峰值电压为1.398V。对比最大电流值之差,计算得到探测器响应度为20mA·W^(-1),噪声等效功率为15nW·Hz^(-0.5),并通过测量探测器对不同角度入射太赫兹波的响应,验证了天线对太赫兹电场的增强作用。