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ICP深硅刻蚀工艺研究 被引量:20
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作者 许高斌 皇华 +4 位作者 展明浩 黄晓莉 王文靖 胡潇 陈兴 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期832-835,共4页
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的... 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀 侧壁光滑陡直刻蚀 高深宽比刻蚀 工艺参数
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毫米波/亚毫米波准光馈电系统设计 被引量:3
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作者 王元源 李春化 袁晶 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1535-1540,共6页
准光馈电系统是毫米波/亚毫米波传感器的关键组成部分。阐述了毫米波/亚毫米波准光系统的基本设计理论与方法;归纳分析了常用准光无源器件的种类、作用及设计流程等相关问题。并以此为基础,构造出三类能够实现双极化接收功能、双模复合... 准光馈电系统是毫米波/亚毫米波传感器的关键组成部分。阐述了毫米波/亚毫米波准光系统的基本设计理论与方法;归纳分析了常用准光无源器件的种类、作用及设计流程等相关问题。并以此为基础,构造出三类能够实现双极化接收功能、双模复合工作的准光馈电系统,并详细描述其工作原理。最终,通过仿真优化设计出与馈电系统相对应的毫米波频段双反射面天线,并采用固定副面、主面机械扫描的形式实现了传感器波束±10°的空域覆盖。 展开更多
关键词 毫米波 亚毫米波 准光系统 高斯波束 双极化馈电 多模复合
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基于GA与PIM混合方法的基站天线波束赋形设计 被引量:1
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作者 朱永忠 赵志远 王元源 《微波学报》 CSCD 北大核心 2012年第4期1-4,共4页
基站天线的波束赋形设计是提高移动通信系统信道性能的关键技术之一。将投影迭代法和遗传算法应用到板状振子型基站天线的计算中,实现基站天线的快速优化设计。首先把振子形式假设为条带形状,对振子和底板均采用RWG基函数展开,得到传统... 基站天线的波束赋形设计是提高移动通信系统信道性能的关键技术之一。将投影迭代法和遗传算法应用到板状振子型基站天线的计算中,实现基站天线的快速优化设计。首先把振子形式假设为条带形状,对振子和底板均采用RWG基函数展开,得到传统矩量法的矩阵方程,然后通过投影迭代逐步修正未知电流,进而求得天线的远场方向图与天线尺寸的关系,最后与遗传算法相结合,优化设计了斜极化基站天线的波束赋形。实验结果与设计结果相吻合,证明了该方法的实用性。 展开更多
关键词 基站天线 矩量法 投影迭代法 遗传算法 波束赋形
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探针激励的介质层加载柱面共形微带天线的格林函数研究
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作者 王元源 谢拥军 陈博韬 《工程数学学报》 CSCD 北大核心 2012年第2期159-167,共9页
柱面分层结构,尤其是加载介质层的圆柱微带结构对于共形天线及天线罩的研究设计具有重要意义.本文通过严格的全波方法推导出适合于数值计算的介质层加载柱面共形微带结构的谱域格林函数,并首次导出此结构下沿细探针的径向电流源产生的... 柱面分层结构,尤其是加载介质层的圆柱微带结构对于共形天线及天线罩的研究设计具有重要意义.本文通过严格的全波方法推导出适合于数值计算的介质层加载柱面共形微带结构的谱域格林函数,并首次导出此结构下沿细探针的径向电流源产生的入射场的具体形式.最终,在此格林函数基础上,应用矩量法计算出天线的表面电流.数值结果证明了本方法的准确性. 展开更多
关键词 格林函数 柱面共形微带天线 介质覆盖层
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高深宽比的TSV制作与填充技术 被引量:4
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作者 余成昇 许高斌 +2 位作者 陈兴 马渊明 展明浩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期93-97,共5页
硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD... 硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用LPCVD工艺在通孔内沉积的重掺杂多晶硅作为电极引线实现电气互连,并对通孔进行了电阻特性的测试,测试结果表明,通孔阻值约为25Ω,通孔互连的电学特性较好。 展开更多
关键词 硅通孔 ICP刻蚀 LPCVD 重掺杂多晶硅 高深宽比
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ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究 被引量:4
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作者 刘方方 展明浩 +2 位作者 许高斌 黄斌 管朋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第3期185-190,共6页
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂... 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 工艺参数 正交实验 过程优化 刻蚀垂直度
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一种可配置高精度数控振荡器设计 被引量:1
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作者 陈亚宁 王宁 +5 位作者 张磊 王少轩 赵忠惠 张紫乾 刘成玉 汪健 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2014年第4期70-73,共4页
针对数字振荡器单元,基于直接数字频率合成器实现方法设计了一种可变频高精度数控振荡器。从速度、面积和功耗等方面折中考虑,给出了设计过程并对仿真结果进行分析验证。结果表明,所设计的数控振荡器可实现较宽范围的频率带宽,步长控制... 针对数字振荡器单元,基于直接数字频率合成器实现方法设计了一种可变频高精度数控振荡器。从速度、面积和功耗等方面折中考虑,给出了设计过程并对仿真结果进行分析验证。结果表明,所设计的数控振荡器可实现较宽范围的频率带宽,步长控制在0.01 Hz数量级,输出信噪比可达70 dB以上,采用SMIC 0.13μm CMOS工艺流片,系统工作速度可达80 MHz,面积为0.183 mm2,为波形发生器提供另外一种可行方案。 展开更多
关键词 数控振荡器信噪比 频率控制字 信噪比
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