ENPP1诱导肿瘤干性和上皮间质转化促进口腔鳞癌的发展

目的癌症干细胞(cancer stem cell,CSC)特征和上皮间质转化(epithelial-mesenchymal transition,EMT)在口腔鳞癌(oral squamous cell carcinoma,OSCC)的进展和转移中至关重要。本研究旨在探讨ENPP1在调控口腔鳞癌细胞干性和转移中的重要作用。方法采用免疫组织化学染色和免疫印迹检测口腔鳞癌肿瘤组织及正常癌旁组织中ENPP1的表达及分布。通过免疫印迹检测口腔鳞癌细胞系(SCC-9,CAL-27和Tca-8113)和正常人口腔粘膜细胞系中ENPP1的表达。建立CAL-27 ENPP1敲低细胞系(shENPP1-#1和shENPP1-#2),通过免疫印迹检测CSC标志物,并通过划痕实验和免疫荧光实验检测肿瘤细胞迁移能力及EMT转化。结果通过临床样本检测发现多数口腔鳞癌患者肿瘤组织中ENPP1的表达显著上调。细胞实验发现ENPP1在口腔鳞癌CAL-27和Tca-8113细胞中表达上调。CAL-27-shENPP1敲低细胞系中CSC标志物的表达显著降低,包括ABCG2,SOX2,NANOG和CD44。此外,ENPP1基因敲低逆转了TGFβ诱导的EMT及细胞迁移。结论ENPP1在诱导和维持口腔鳞癌细胞的CSC特征和EMT中起重要作用,可能为口腔鳞癌的临床治疗提供新靶点。

TAMs来源的CCL5激活ERK1/2/p38信号通路在口腔鳞癌转移中的作用研究

目的本研究旨在探讨CCL5在口腔鳞癌转移中的重要作用机制。方法采用免疫组织化学和免疫荧光染色检测口腔鳞癌肿瘤组织及癌旁组织中CCL5和CD163的表达定位。建立口腔鳞癌细胞系(SCC-9和CAL27)-TAMs共培养体系,同时抑制CCL5及信号分子表达,通过免疫印迹检测EMT标志物,并通过侵袭实验检测肿瘤细胞侵袭能力。结果我们首次利用免疫组织化学法发现,伴有淋巴结转移的OSCC肿瘤组织中CCL5与CD163的共表达显著高于无转移患者,且两者表达显著相关。细胞实验发现,TAMs来源的CCL5能够诱导OSCC细胞的侵袭;ERK1/2/p38信号通路调节的上皮间质转化(EMT)参与了CCL5诱导的OSCC细胞侵袭。结论TAMs来源的CCL5在推动口腔鳞癌细胞EMT及侵袭中起重要作用,本研究为口腔鳞癌转移的治疗提供了潜在的新靶点。

Er:YAG激光去除全瓷冠1例报告

全瓷材料因其优异的美学性能、良好的生物相容性及机械性能成为口腔领域常用的修复材料。但在临床中,不完善的牙体治疗,修复体的破损、折裂,以及患者对修复体颜色、美观不满意等原因,常导致需要拆除全瓷修复体[1-2]。传统钻磨去粘接法耗时耗力,在拆除过程中,往往会造成医源性的牙体组织再损伤,一方面破坏了牙体组织的结构,降低了牙体组织的抗力,减少了再粘接面积;另一方面造成全瓷修复体完全的破损,失去了再利用的可能性,最终可能会影响再治疗的效果[2-4]。因此,全瓷修复体去粘接的问题亟待解决。

Er∶YAG激光表面处理对玻璃陶瓷材料颜色和透明度的影响研究

目的研究Er∶YAG激光表面处理方法对玻璃陶瓷材料颜色和透明度的影响。方法使用IPS E.max Press HT瓷块制作成50个长方形试件(22.0 mm×5.0 mm×1.2 mm),并随机分为5组,包括4个不同能量(2W、3W、4W和5W)激光组和1个对照组,每组10个试件。采用相应参数的Er∶YAG激光处理各激光组试件30、60、90 s,并记为30、60、90 s亚组;对照组不做表面处理。测量并比较各组颜色参数(L^(*)、a^(*)、b^(*)值)、色差(ΔE)值和透明度(TP)值差异。结果①5W激光组不同处理时间亚组的L^(*)值与对照组比较,差异均有统计学意义(均P<0.05);其TP值及4W激光组不同处理时间亚组的TP值与对照组比较,差异也均有统计学意义(均P<0.05)。其他激光组不同处理时间亚组的测量指标与对照组比较,差异均无统计学意义(均P>0.05)。②对各激光组不同处理时间亚组的L^(*)、a^(*)、b^(*)、ΔE、TP值进行比较发现,差异均无统计学意义(均P>0.05)。③当处理时间为30 s时,2W、3W、4W激光组的TP值均大于5W激光组,且2W激光组的TP值大于4W激光组;当处理时间为60 s时,3W、4W、5W激光组的TP值均小于2W激光组;当处理时间为90 s时,2W、3W、4W激光组的TP值均大于5W激光组,且2W、3W激光组的L^(*)值均小于5W激光组,以上差异均有统计学意义(均P<0.05)。结论Er∶YAG激光表面处理会造成玻璃陶瓷材料颜色和透明度的改变,在临床应用中需要注意其对玻璃陶瓷修复体美学效果的影响。

激光在牙体硬组织预备中的应用

随着科技的发展,激光在口腔医学领域作为一种辅助工具正逐渐受到重视、推广和发展。与传统涡轮机预备牙体硬组织相比,激光预备具有微创、无痛等优势,并且患者更容易接受。文章对近年来激光应用于牙体硬组织预备的基础及临床研究做一介绍。

低能量半导体激光缓解正畸不同阶段牙齿疼痛的临床研究

目的研究低能量半导体激光对佩戴固定矫治器正畸患者在初始排齐和牙弓完全整平后滑动法关闭拔牙间隙2个阶段加力后牙齿疼痛的缓解作用.方法选取2017年7月至2018年2月于北京协和医院口腔科就诊处于正畸初始阶段的患者19例,处于滑动法关闭拔牙间隙阶段的患者17例.采用单盲、自身牙弓左右侧对照的研究方法,正畸加力后使用低能量半导体激光(810 nm、0.5W、4W/cm2)分别照射研究侧牙弓颊侧、腭侧牙周膜区域(连续波模式、40 s/颗),对照侧相应区域采用指示光进行照射.加力后1周内,患者每日填写疼痛数字评价量表,采用Mann-Whitney检验比较研究侧和对照侧的疼痛差异.结果在正畸初始阶段应用低能量半导体激光照射,在加力后前3d均可显著减轻咬合痛,在加力后第1天可显著减轻自发痛(P<0.05);而在滑动法关闭拔牙间隙阶段,低能量半导体激光缓解这2种疼痛的作用在研究侧和对照侧间无明显差异(P>0.05).结论低能量半导体激光可明显缓解临床患者在正畸初始阶段的疼痛.

不同频率和单脉冲能量下Er∶YAG激光辅助单根管荡洗对根尖压力影响的研究

目的采用高频脉动压力传感器测量不同频率和单脉冲能量下前牙单根管模型Er∶YAG激光辅助化学预备产生的根尖压力值。方法前牙单根直根管模型内注满去离子水,根尖孔外接50000 Hz高频大量程传感器。Er∶YAG激光工作尖置于根管口上3 mm处,激光激励频率设置为20~50 Hz(以10 Hz为间隔),单脉冲能量设置为5~50 mJ(以5 mJ为间隔);采用超短脉宽模式,记录不同频率和单脉冲能量下Er∶YAG激光辅助荡洗时的根尖瞬时压力。结果单根管模型根尖压力值随单脉冲能量升高而线性增加。当单脉冲能量≥35 m J时,根尖压力在荡洗过程中出现累积,压力值显著增加。功率设置越高,压力值升高幅度越大。结论根尖压力值随单脉冲能量升高而线性增加,高功率下根尖区会出现高压累积,增加根尖损伤风险。临床合理设置参数,对Er∶YAG激光辅助化学预备的安全性有重要意义。