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题名256M/1G DRAM工艺及前道制造设备
被引量:1
- 1
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《电子工业专用设备》
1997年第2期12-18,共7页
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文摘
介绍256M/1GDRAM产品技术指标、工艺及前道制造设备,包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备。
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关键词
256M/1G
DRAM
设备
半导体制造工艺
光刻
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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题名深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备
被引量:1
- 2
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《半导体杂志》
1997年第4期27-31,共5页
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文摘
介绍了深亚微米(035/025/018μm)半导体器件制造的最新工艺及设备,包括新一代CMOS工艺、FOND工艺、PSM技术、电子束光刻工艺、X射线光刻工艺、Cu互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。
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关键词
深亚微米
半导体器件
设备
制造工艺
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名256M/1G DRAM生产线的检测设备
- 3
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《电子工业专用设备》
1998年第1期20-25,共6页
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文摘
介绍256M/1GDRAM生产线的检测设备,包括裸圆片、带图形圆片、膜厚及特性、条宽/线宽、掩模版、后道工序、环境检测设备、成品测试和环境试验设备。
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关键词
256M/1GDRAM
检测
设备
IC
生产线
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名300mm圆片生产线及其制造设备
- 4
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《电子工业专用设备》
1997年第4期1-3,16,共4页
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文摘
介绍使用300mm圆片的优势、标准、联盟、投资、生产线及其主要制造设备。
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关键词
圆片
300mm圆片
生产线
设备
半导体器件
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名MPEG-2芯片及其应用
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《半导体情报》
1997年第6期38-41,共4页
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文摘
介绍了MPEG-2标准。
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关键词
MPEG-2
标准
芯片
VCD
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Keywords
MPEG2 Standard Die
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分类号
TN946
[电子电信—信号与信息处理]
TP333.43
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名近年世界半导体设备市场分析
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《半导体杂志》
1997年第3期31-34,共4页
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文摘
介绍了1993~2000年世界半导体市场、世界半导体设备投资及世界半导体设备市场,后者包括光刻机、蚀刻设备、离子注入机、CMP设备和测试设备市场。
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关键词
半导体设备
市场
投资
世界
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分类号
F416.63
[经济管理—产业经济]
F405
[经济管理—产业经济]
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题名俄罗斯IC工业及其制造设备
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《电子工业专用设备》
1998年第2期16-17,共2页
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文摘
本文介绍了俄罗斯IC工业概况以及一条08μm、150mm(6英寸)圆片生产线的主要制造设备和分析仪器。
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关键词
俄罗斯
IC
制造设备
电子工业
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分类号
F451.126.6
[经济管理—产业经济]
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名评价1GDRAM的技术及设备
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作者
翁寿松
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1998年第3期46-48,共3页
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文摘
本文介绍了1GDRAM的电性能,论述了评价1GDRAM的技术及设备。
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关键词
1GDRAM
评价
半导体产业
圆片制造
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分类号
TN30
[电子电信—物理电子学]
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题名DB3S双触发二极管的失效分析
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作者
翁寿松
黄英
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机构
中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂
中国华晶电子集团公司中央研究所
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出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1997年第5期19-21,共3页
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文摘
本文论述了DB3S双触发二极管的原理、电性能、失效模式和失效机理,并提出改进办法。
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关键词
双触发二极管
失效分析
DB3S
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分类号
TN131.203
[电子电信—物理电子学]
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