中国半导体晶圆厂的走向分析

中国政府希望在本土生产更多芯片,因此密切关注着IC行业的发展。作为计划的一部分,中国已经吸引了多家跨国芯片制造商在其境内建造新的晶圆厂。对于跨国的芯片制造商来说,吸引力是能够更接近庞大的客户群。近乎疯狂的投资正在引发多方关于这个复杂市场如何演变的猜测。

FinFET之后的集成电路制造工艺研究

芯片制造商已经在基于10 nm和/或7 nm Fin FET准备他们的下一代技术了,但我们仍然还不清楚FinFET还能坚持多长时间、用于高端设备的10 nm和7 nm节点还能延展多久以及接下来会如何。在5 nm、3 nm以及更小节点,半导体行业还面临着巨大的不确定性和许多难题。即使在今天,随着每个节点的工艺复杂度和成本的上升,传统的芯片尺寸缩减也在放缓。因此,能够负担先进节点芯片设计的客户越来越少。FinFET之后,集成电路将会怎么发展。

晶圆代工厂面临的多项挑战

全球晶圆代工的增长将保持稳定,但迁移到下一个节点将变得越来越困难和昂贵。预计到2018年,硅片代工业务将稳定增长,但这一增长会面临若干挑战。在最前沿,Global Foundries、英特尔、三星和台积电正从16 nm/14 nm向10 nm/7 nm节点迁移。据分析人士称,英特尔遭遇了一些困难,因为该芯片巨头最近宣布从2017年下半年到2018年上半年的新10 nm工艺的产能增加。时间会见证其他芯片制造商在向10 nm/7 nm迁移时会遭遇平滑还是硬过渡。

EUV光刻技术的难点分析

极紫外(EUV)光刻技术正蓄势待发,但为了将这项人们期待已久的技术用于大规模生产,还仍然有一些难题有待解决。EUV光刻是在芯片上图案化微小特征的下一代技术,原本预期在2012年左右投入生产。但这么多年过去了,EUV不断延后,从一个节点拖到了下一个节点。和之前的技术一样,要将EUV投入大规模制造,有一些问题还要解决。芯片制造商还必须权衡各种复杂的利弊关系。

进入原子层蚀刻之后的芯片制造工艺

技术应用虽然已经开始,但哪一种技术路径最好、谁家的最好仍不得而知。经过多年研发,几家晶圆厂设备供应商终于在2016年推出了基于原子层刻蚀(ALE)的下一代蚀刻系统。ALE虽指向16/14 nm的技术方向,但其必将在10/7 nm甚至更远的技术领域内发挥重要作用。业界也正致力于开发应用于先进逻辑处理器和存储器生产制造的新一代ALE技术。

封测代工产业面临的挑战与机会

在充满挑战的半导体商业环境中,封测代工(outsourced semiconductor assembly and test)工业能被预见到会有一个稳定的,在许多产品细分上强有力的增长。整个半导体行业兼并收购的活动进行得如火如荼,这对封测代工厂来说意味着越来越少的客户群。中国的封测代工生意任道而重远,扩张兼并的脚步仍在大踏步前行。