基于0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一个应用于0.34 THz高速通信系统的4路集成相控阵发射机芯片。该芯片集成了21.25 GHz的锁相环(PLL)频率源、4倍频器、4路威尔金森(Wilkinson)功分网络,每一路相控阵通道包括85 GHz功率放大器、模...基于0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一个应用于0.34 THz高速通信系统的4路集成相控阵发射机芯片。该芯片集成了21.25 GHz的锁相环(PLL)频率源、4倍频器、4路威尔金森(Wilkinson)功分网络,每一路相控阵通道包括85 GHz功率放大器、模拟移相器、20 Gbps二进制启闭键控(OOK)调制器、4倍频器以及2×2片载天线阵列。针对系统各个模块进行了测试和分析,并且对系统方向图进行了仿真。仿真结果表明,该相控阵系统能在E面实现±12°的角度扫描,3 d B波束宽度为11.9°,系统有效等向辐射功率(EIRP)为12 d Bm。该集成相控阵发射机芯片的面积为8 mm×4.3 mm。展开更多
文摘基于0.13μm Si Ge Bi CMOS工艺,设计了一个应用于0.34 THz高速通信系统的4路集成相控阵发射机芯片。该芯片集成了21.25 GHz的锁相环(PLL)频率源、4倍频器、4路威尔金森(Wilkinson)功分网络,每一路相控阵通道包括85 GHz功率放大器、模拟移相器、20 Gbps二进制启闭键控(OOK)调制器、4倍频器以及2×2片载天线阵列。针对系统各个模块进行了测试和分析,并且对系统方向图进行了仿真。仿真结果表明,该相控阵系统能在E面实现±12°的角度扫描,3 d B波束宽度为11.9°,系统有效等向辐射功率(EIRP)为12 d Bm。该集成相控阵发射机芯片的面积为8 mm×4.3 mm。
