中子辐照诱生锆钛酸铅厚膜界面缺陷

采用中子对厚度为5μm的锆钛酸铅(PZT)压电厚膜进行辐照,选择注量为0 cm^(-2)、1011cm^(-2)、1012cm^(-2)、1013cm^(-2)。针对界面缺陷影响机制不清晰问题,应用深能级瞬态谱(DLTS)对样品的界面缺陷能级、浓度、俘获截面等关键性质进行了系统性表征。结果表明:1011cm^(-2)的中子辐照使PZT厚膜界面处缺陷激活能从0.9 eV增加到1.6 eV,是导致极化强度降低11.2%、介电常数下降以及漏电流增大的重要因素,且影响程度与辐照的注量呈正相关。该研究结果对于压电材料和器件在辐照环境应用有重要参考意义。

D波段功率放大器设计

基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.