磁压缩系统中热脱附杂质粒子研究

磁压缩系统为俄罗斯实验物理研究院提出的核聚变方案。磁压缩系统腔室中杂质粒子可能来源于热脱附、等离子体刮削器壁等途径。利用ANSYS工具模拟5 MA脉冲电流流过腔室,并给出电极温度的二维分布图,结合研究小尺寸铜样品上杂质的解吸附来分析磁压缩系统腔室中热脱附过程产生的杂质粒子。通过测量3keV的Ar^+离子入射到Cu(110),Cu(111)样品表面的飞行时间谱,分析样品表面吸附的杂质种类,以及样品表面杂质含量随温度的变化关系。研究表明杂质粒子含量跟电极温度有关联性,且跟电极材料表面结构相关。

Ar^(q+)(q=0-12)离子掠射到单晶铜表面的能损谱（英文）

采用蒙特卡罗模拟方法,对低速高电荷态Ar^(q+)离子掠射到单晶铜表面时的能损谱与表面结构的依赖关系进行研究。在能损计算中,包含了四种可能的能损机制。对于Ar原子沿着晶列方向掠射时,发现能损谱为一两峰结构,其中在能损比较大的区间新出现一个明显的小峰结构。通过研究Ar^(q+)以不同条件掠射到表面的能损,对观察到的沟道效应进行论述。能损谱的计算结果与实验结果吻合得比较好。