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题名CMOS图像传感器辐射损伤研究
被引量:2
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作者
邹旸
黄景昊
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机构
中国核工业建设集团科技与信息化部
海南核电有限公司设备管理处
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出处
《湖南理工学院学报(自然科学版)》
CAS
2017年第3期44-49,共6页
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文摘
考虑γ射线辐射场对视频监控系统中CMOS图像传感器的辐照失效损伤,通过机理分析与辐照实验,研究图像传感器的辐射损伤效应以及对其性能参数的影响.设计辐照实验,选用同种工艺不同厂商生产的几类CMOS图像传感器,研究γ射线对CMOS图像传感器的损伤效应.实验结果表明,γ射线总剂量效应导致暗电流增大,从而使像素灰度值增大;γ射线瞬态电离效应在CMOS图像传感器像素阵列中形成雪花状的随机正向脉冲颗粒噪声,噪点的数量与剂量率相关;彩色图像受到入射γ光子的干扰相较于暗图像较弱;并且当累积剂量低于88.4Gy,剂量率低于58.3Gy/h时,不会产生坏点;光照充足时γ射线电离辐射对传感器分辨率、色度及暗电流的影响并不明显.
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关键词
CMOS图像传感器
辐照实验
辐射损伤
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Keywords
CMOS image sensor, irradiation experiment, irradiation damage
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分类号
TN29
[电子电信—物理电子学]
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