GaInP2外延薄膜的成份调制与超结构间的关联

用自制的具有极高分辨率的微机控制的三晶体x-射线衍射仪测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(?)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面。对此,我们定义了有序因子,并首先精确地测定了有序因子值。由此导出了成份调制的表达式。这样,我们就可用成份调制表示式来表达GaInP_2外延薄膜中存在的部分有序相的超结构特征。

一种产生角定位莫尔条纹的方法

本文提出了一种由长直光栅产生角定位莫尔条纹的方法。当两光栅的刻线方向完全平行时，由两光栅产生的莫尔图样为平行条纹；如果其中的一块光栅相对另一块光栅转动时，莫尔图样为箭头状条纹，且角位移越大，箭头的夹角越钝。本文提出的方法可用于微小角位移的测量及角度定位。