晶体管阵列老炼时结温测量方法研究

对PNP晶体管阵列采用矩阵热阻法和温度敏感参数法(TSP)两种结温测量的方法进行对比分析研究,并采用红外热像进行试验验证。结果表明,采用矩阵热阻法可以综合考虑各芯片之间的耦合作用,但由于矩阵热阻法试验程序较为复杂,且需要多次换算,从而较容易引入误差。而温度敏感参数法操作简单,测量准确,可以实现实时监测阵列管工作状态下的结温。

垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究

本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法。