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题名抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响
被引量:3
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作者
吕菲
王云彪
张伟才
武永超
赵权
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机构
中国电子科技电集团公司第四十六研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第8期745-747,786,共4页
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文摘
研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度和SiO2溶胶粒径,抛光液的pH值也要在合适的范围。因臭氧水的清洗工艺不会增加粗糙度,不失为一种控制GaAs抛光片表面粗糙度的有效方法。
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关键词
化学机械抛光
粗糙度
抛光速率
抛光雾
清洗工艺
抛光液
臭氧水
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Keywords
CMP
roughness
polishing rate
haze
cleaning technique
slurry
ozone solution
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名硅抛光片表面质量测试技术综述
被引量:2
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作者
宋晶
杨洪星
张伟才
武永超
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机构
中国电子科技电集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2010年第7期9-10,38,共3页
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文摘
随着硅抛光片尺寸逐渐增大,硅抛光片表面质量测试逐步被人们所关注。表面金属离子含量以及表面颗粒度成为衡量硅抛光片表面质量的重要指标,对表面金属离子含量以及表面颗粒度的测试原理以及设备进展进行了介绍。
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关键词
硅
表面颗粒度
全反射荧光谱
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Keywords
Silicon
Surface Particle Level
TXRF
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分类号
TN307
[电子电信—物理电子学]
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