941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列

计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%

Kelvin四线连接电阻测试技术及应用

介绍了开尔文(Kelvin)四线连接方式测试电阻的原理,针对复杂电阻网络提出电阻隔离测 试技术。分析了采用全开尔文更精确测量极小电阻的方法,介绍了在特殊情况下使用分离开尔文连接测试 电阻的方法和用途。

MEMS封装中真空封口及真空度检测技术

通过对MEMS封装技术进行研究攻关 ,突破了针对微机械陀螺仪器件性能发挥所需的真空封口技术及真空度检测技术 ,使器件品质因数提高将近

在AutoCAD中用AutoLISP语言程序快速计算及修改建筑结构施工图中钢筋标识符所表示的钢筋面积

程序使用概览、程序运行过程简介,本程序可直观,迅速、准确的获得和编辑钢筋面积、直径。

100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化

基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。

InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。