期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
6
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量:
4
1
作者
辛国锋
花吉珍
+4 位作者
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半...
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
展开更多
关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
下载PDF
职称材料
Kelvin四线连接电阻测试技术及应用
被引量:
19
2
作者
赵英伟
庞克俭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期43-45,50,共4页
介绍了开尔文(Kelvin)四线连接方式测试电阻的原理,针对复杂电阻网络提出电阻隔离测 试技术。分析了采用全开尔文更精确测量极小电阻的方法,介绍了在特殊情况下使用分离开尔文连接测试 电阻的方法和用途。
关键词
开尔文
电阻隔离测试
分离开尔文连接
下载PDF
职称材料
MEMS封装中真空封口及真空度检测技术
被引量:
7
3
作者
张丽华
李军
邵崇俭
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期267-270,共4页
通过对MEMS封装技术进行研究攻关 ,突破了针对微机械陀螺仪器件性能发挥所需的真空封口技术及真空度检测技术 ,使器件品质因数提高将近
关键词
MEMS
封装
真空封口
真空度检测
微机械陀螺仪
品质因数
下载PDF
职称材料
在AutoCAD中用AutoLISP语言程序快速计算及修改建筑结构施工图中钢筋标识符所表示的钢筋面积
4
作者
陈连升
刘志芬
《黑龙江科技信息》
2007年第01X期51-51,共1页
程序使用概览、程序运行过程简介,本程序可直观,迅速、准确的获得和编辑钢筋面积、直径。
关键词
AUTOCAD
AUTOLISP程序
钢筋面积结果
钢筋标识类别
下载PDF
职称材料
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
5
作者
王永维
黄柯月
+2 位作者
温恒娟
陈浪涛
周锌
《通讯世界》
2024年第7期1-3,共3页
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟...
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。
展开更多
关键词
SOI
LDMOS
绝缘体上硅
功率器件
击穿电压
阈值电压
下载PDF
职称材料
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列
被引量:
2
6
作者
辛国锋
花吉珍
+3 位作者
陈国鹰
康志龙
冯荣珠
安振峰
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期698-700,共3页
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W...
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。
展开更多
关键词
金属有机化合物气相淀积
MOCVD
半导体激光器
分别限制结构
单量子阱
激光二极管
原文传递
题名
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
被引量:
4
1
作者
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
机构
河北工业大学信息工程学院微
电子
所
中国
电子科技
集团公司
电子第
十三
研究所光电专业部
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期521-524,共4页
基金
河北省科技攻关项目 (编号 :0 32 1 35 4 0D)
河北省自然科学基金 (编号 :6 0 30 80 )项目
文摘
计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
关键词
金属有机化合物气相淀积
半导体激光器阵列
分别限制结构
单量子阱
Keywords
Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Semiconductor laser array
Separate confinement heterostructure
Single quantum well
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
Kelvin四线连接电阻测试技术及应用
被引量:
19
2
作者
赵英伟
庞克俭
机构
中国电子科技集团公司电子第十三所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第11期43-45,50,共4页
文摘
介绍了开尔文(Kelvin)四线连接方式测试电阻的原理,针对复杂电阻网络提出电阻隔离测 试技术。分析了采用全开尔文更精确测量极小电阻的方法,介绍了在特殊情况下使用分离开尔文连接测试 电阻的方法和用途。
关键词
开尔文
电阻隔离测试
分离开尔文连接
Keywords
Kelvin
guarded resistance measurement
split Kelvin connection
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MEMS封装中真空封口及真空度检测技术
被引量:
7
3
作者
张丽华
李军
邵崇俭
机构
中国
电子科技
集团公司
电子第
十三
研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第7期267-270,共4页
文摘
通过对MEMS封装技术进行研究攻关 ,突破了针对微机械陀螺仪器件性能发挥所需的真空封口技术及真空度检测技术 ,使器件品质因数提高将近
关键词
MEMS
封装
真空封口
真空度检测
微机械陀螺仪
品质因数
Keywords
micro gyro
vacuum level testing
quality factors
分类号
TN405.94 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
在AutoCAD中用AutoLISP语言程序快速计算及修改建筑结构施工图中钢筋标识符所表示的钢筋面积
4
作者
陈连升
刘志芬
机构
中国
电子科技
集团公司
电子第
十三
研究所
石家庄市建筑设计院
出处
《黑龙江科技信息》
2007年第01X期51-51,共1页
文摘
程序使用概览、程序运行过程简介,本程序可直观,迅速、准确的获得和编辑钢筋面积、直径。
关键词
AUTOCAD
AUTOLISP程序
钢筋面积结果
钢筋标识类别
分类号
TP311 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
下载PDF
职称材料
题名
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
5
作者
王永维
黄柯月
温恒娟
陈浪涛
周锌
机构
中国
电子科技
集团公司
电子第
十三
研究所
出处
《通讯世界》
2024年第7期1-3,共3页
文摘
基于高压模拟开关需求,对100 V绝缘体上硅(SOI)厚栅氧横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件开展研究。利用仿真软件,研究了该LDMOS器件的结构参数,包括漂移区长度、漂移区掺杂剂量、多晶硅栅场板长度对LDMOS器件击穿电压的影响。采用沟道离子补偿注入的方法,通过控制沟道区调整沟道区硼离子注入剂量,调节器件的阈值电压,同时通过优化N阱区(N-well)注入窗口长度改善器件的饱和电流。
关键词
SOI
LDMOS
绝缘体上硅
功率器件
击穿电压
阈值电压
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列
被引量:
2
6
作者
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
冯荣珠
安振峰
机构
河北工业大学信息工程学院微
电子
所
中国
电子科技
集团公司
电子第
十三
研究所光电专业部
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第7期698-700,共3页
文摘
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm,光谱的半高全宽(FWHM)为3.3nm,在400μs、50Hz的输入电流下,输出峰值功率达到67.9W,斜率效率高达0.85W/A(64%)。
关键词
金属有机化合物气相淀积
MOCVD
半导体激光器
分别限制结构
单量子阱
激光二极管
Keywords
Heterojunctions
Metallorganic chemical vapor deposition
Semiconducting aluminum compounds
Semiconducting indium gallium arsenide
Semiconductor quantum wells
分类号
TN248.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
杨鹏
徐会武
安振峰
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
4
下载PDF
职称材料
2
Kelvin四线连接电阻测试技术及应用
赵英伟
庞克俭
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
19
下载PDF
职称材料
3
MEMS封装中真空封口及真空度检测技术
张丽华
李军
邵崇俭
《微纳电子技术》
CAS
2003
7
下载PDF
职称材料
4
在AutoCAD中用AutoLISP语言程序快速计算及修改建筑结构施工图中钢筋标识符所表示的钢筋面积
陈连升
刘志芬
《黑龙江科技信息》
2007
0
下载PDF
职称材料
5
100 V SOI厚栅氧LDMOS器件设计与优化
王永维
黄柯月
温恒娟
陈浪涛
周锌
《通讯世界》
2024
下载PDF
职称材料
6
InGaAs/AlGaAs941nm高功率半导体激光二极管阵列
辛国锋
花吉珍
陈国鹰
康志龙
冯荣珠
安振峰
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
2
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部