芯片三维集成激光隐形切割技术

随着新一代信息装备内部SiP集成密度不断提升,传统的平面混合集成技术已接近极限,芯片三维集成技术必将成为未来SiP内部集成的主流形态,激光隐形切割技术是芯片三维集成技术的关键技术之一。介绍了激光隐形切割技术在芯片三维集成中的用途。通过传统分片技术与隐形切割技术的比较,阐述了各种晶圆分片工艺的技术特点,对隐形切割的基本原理、改质层的形成机理、切割方法、激光器参数选择做了详细分析。重点介绍了隐形切割技术在GaAs芯片三维集成分片工艺中的典型应用,对有关问题给出了解决方案。

S波段GaN功放组件设计

介绍了运用GaN功率封装管设计S波段双通道100 W固态功放组件的方法,对功放组件的射频链路,馈电网络,过流过热保护电路以及热设计进行了详细阐述。测试结果表明,组件在S波段输出功率100 W,效率达到40%以上,通过单片机和FPGA对功放组件进行实时过热保护以及过流保护,适应电子战系统的健康管理要求。

低副瓣微带天线设计

针对传统低副瓣天线工作带宽窄的问题,设计了一种应用于低副瓣天线阵列设计的新型宽带微带天线单元。通过采用H型槽耦合馈电方法,天线单元工作带宽达到11%以上。同时,为实现天线阵列的宽频带工作特性,对宽带馈电网络进行了专门设计。馈电网络采用串、并结合的馈电方式,利用阻抗变换节实现所需要的天线单元馈电幅相分布。基于所设计的天线单元和馈电网络,设计了一种基于道尔夫-切比雪夫电流分布的C波段微带天线阵,并对天线进行了加工、测试。测试结果表明,所设计的天线具有低副瓣、窄波束、高增益的特性,天线的旁瓣电平抑制大于20 dB。