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III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破 被引量:6
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作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破... 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低,使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 晶体硅太阳电池 光伏技术 硅薄膜太阳电池 光电转换效率 美国贝尔实验室 空间飞行器 级连
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