一种应用于碳化硅全自动减薄机的定位巡边方法

针对带平边的碳化硅晶片,在放到承片台上时,需要与承片台的平边重合,因此提出一种应用于碳化硅减薄机的定位巡边方法。此方法先在定位台上夹爪粗定位,然后旋转碳化硅晶片通过巡边传感器确定晶片的平边,最后旋转到设定的与承片台恰好重合的角度,完成定位巡边。此方法通过平边晶片与平边承片台的重合,使得吸附晶片的真空最大化,大大提升后续的磨削精度。通过磨削效果的对比,TTV由原来的4.4μm提升到1.5μm。

电子专用设备模块化的工艺特点

分析了电子专用设备普及模块化设计及生产制造所面临的实际工艺问题,结合在电子专用设备研制过程中对实际工艺问题的分析和解决实例,总结出电子专用设备模块化工艺的应用经验和实际特点。

CAPP在电子专用设备制造中的关键技术

从工艺设计过程特点及协调人-机分工来考虑,阐述工艺设计过程中工艺活动划分及各活动所涉及的数据库。提出CAPP是充分应用典型工艺的一项设计活动,需要工艺资源管理器的支持,并提出CAPP系统应用的关键技术--典型工艺设计及工艺资源管理器建立能更有效地辅助工艺人员进行工艺设计,总结工艺知识和经验是CAPP应用的关键。

基于非正常接触的磨削热缺陷分析

分析了磨削非正常接触及其时空敏感性,阐述了以酸洗-磁粉探伤复合检测来显示裂纹和磨削变质层关系的方法,提出通过对磨削宏观痕迹分析来寻找真实磨削接触条件的方法,并介绍了一些典型的磨削非正常接触案例。

航空线缆绝缘的加速老化试验研究

选用聚四氟乙烯(PTFE)绝缘的航空线缆为研究对象进行老化试验,获得其断裂伸长率、绝缘电阻和等效电容等试验数据。表明在加速热老化的环境下,航空线缆力学性能下降,断裂伸长率明显减小;当温度高于正常使用温度时断裂伸长率迅速下降。老化反应过程较复杂,且反应速率不是常数。绝缘电阻和吸收比、极化指数等线缆绝缘特性在老化过程中变化规律不明显,绝缘等效电容随着老化的进行略有上升。

齿轮传动与蜗轮蜗杆传动性能比较与消隙机构

就齿轮传动和蜗轮蜗杆传动2种方式进行较为详细的分析和比较,并计算了同一精度等级的齿轮副和蜗轮蜗杆副的传动副精度,结果显示由于传动形式不同使得蜗轮蜗杆传动副的综合误差要略低于齿轮传动副的综合误差。最后介绍了几种常用的消隙方式并进行比较。

加强企业文化建设 促进质量管理上台阶

本文就现代企业面对全球经济一体化的新形势,提出当前企业的竞争已经深入到文化的层面,而企业文化是企业能否繁荣、昌盛并持续发展的一个关键因素。本文分别从六个方面论述了加强企业文化建设、促进质量管理水平上台阶的重要性。认为在企业建设企业文化的过程中,对提升整个企业的质量管理水平是非常重要的。

大直径探针台的晶圆自动传输系统

介绍了适应大直径探针台的晶圆自动传输系统及其主要的组成部分——片盒承载台、关节机械手、预对准装置。应用动力学分析证明R-θ型机械手的直线运动轨迹,阐述了机械式和光学预对准装置的主要原理,说明了晶圆自动传输系统的应用前景。

装片机晶片台运动控制系统的分析

论述了装片机晶片台伺服电机选型计算和运动控制技术,采用伺服电机构成了半闭环反馈控制系统,实现了晶片台的高速、高精度定位控制。

基于Beckhoff的PC兼容控制系统设计与实现

针对激光划切机快速高效的工艺特点,设计基于倍福Beckhoff的PC兼容控制系统。通过高速Ether CAT现场总线技术,确保工作台的高动态性能,满足激光与工作台协同控制技术要求,研究可编程逻辑控制器PLC底层程序与VC顶层程序实现,与激光划切机整机软件相兼容,保证设备的可靠性和稳定性,提高设备的生产效率。

基于LTCC的激光加工精度提高研究

介绍了一种加工L TCC的激光划切机,由于客户对打孔精度要求的提升而作出改进。应用Q C活动知识对影响加工精度的原因进行分析,并为提高激光划切加工精度提出一些方法与措施。

高速粘片机晶片工作台的电机选型计算与运动控制

论述了高速粘片机晶片工作台伺服电机选型计算和运动控制技术,采用伺服电机和光栅尺构成了全闭环双反馈控制系统,实现了工作台的高速、高精度定位控制。

基于小位移旋量和热变形的平面公差建模方法研究

零件的公差分析是装配体累积公差分析中重要的环节,公差模型建立的正确与否将直接影响累积公差分析的结果。文中针对高温引起零件的热变形,基于小位移旋量理论,研究部分功能表面热变形与几何变动公差的合成方法,为累积公差分析提供公差模型,为公差的合成奠定基础。

粘片机中芯片丢失的光敏检测方法及其分析

论述了粘片机中芯片丢失的检测方法,采用红外发光二极管和硅光敏晶体管,实现了芯片丢失的快速、准确的检测。

叠层片式电感印刷线的关键技术及发展趋势

简要介绍了叠层片式电感器特点及行业背景,叠层片式电感印刷线的历史现状、生产工序及关键技术,重点分析了叠层片式电感器及其印刷线的发展趋势。

一种基于光学干涉原理的CMP在线终点检测装置

化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理,给出了一种CMP在线终点检测装置。

双面飞针测试方法和控制技术

介绍了双面飞针测试设备的测试方法,以及各方法在测试过程中的数据处理;针对飞针测试工艺流程,详细介绍了飞针测试过程中的主要控制技术。

基于TMS320F2812数据采集系统的设计

提出了基于DSP内部模数转换器ADC的软硬件设计,并且介绍了如何通过有限长单位冲激响应FIR滤波器对复杂数据进行处理,从而提供了一种可靠有效的数据采集系统的设计方法。

300mm硅片精密化学机械抛光机几何参数优化(英文)

对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光机的验证过程中,我们发现为了提高硅片表面的几何参数,必须监控抛光前硅片的形貌,并根据不同的硅片表面形貌来改变抛光头的区域压力。通过深入分析抛光前硅片的表面形貌,我们发现当硅片形貌为凹陷形状时,抛光后的硅片表面将严重恶化。由此,根据每个硅片不同的形貌,我们用特殊设计的抛光头来调整背压的区域分布,然后再进行抛光。最终,经过抛光头区域压力调整后的硅片几何参数比调整前得到了大幅提升,并已经能够满足我们的产品指标并可以用于生产。

光伏太阳能硅片自动对准方法的探索

对全自动太阳能印刷系统的硅片自动对准的原理进行详细描述,对其可行性及计算方法进行分析,寻找可能产生的误差及其范围,并指出减小误差的措施。