倍压电路中电容串的电压分布分析

中子发生器是脉冲中子仪器的技术关键,密封高压是中子发生器的主要组成部分,密封高压所采用的倍压电路是密封高压的关键技术。在倍压电路中,电容串上各电容上承受的电压是不均匀的,在设计过程中,电容上的耐压额定值的选择,带有很大的盲目性。因此设计并实验了倍压电路在低压情况下电容串的电压分布,推算出一套简便易行的电容电压分布的理论公式,并将实际测量与理论计算进行对比,吻合程度较为理想。据此,推算了-100kV高压电容串上的电压分布,为电容的选择提供了理论依据。

一种新型的小直径150℃中子发生器

随着脉冲中子测井的发展,小直径、长寿命耐高温中子发生器是市场的迫切需求。文章介绍了150℃中子发生器,该新产品是采用自成靶中子管和高负载能力的密封高压实现150℃175h的中子发生器技术。

利用Garfield程序模拟Micromegas探测器增益和位置分辨特性(英文)

利用Garfield气体探测器模拟程序模拟了不同条件下Micromegas探测器的增益和位置分辨特性.通过对模拟结果的分析,得出提高探测器位置分辨和增益的有效途径.该工作不仅可以优化气体探测器结构设计,缩短实验周期,而且还能极大程度的节约经费.